阳极氧化法制备氧化铝纳米线

将Al片在较高的电压下进行阳极氧化,制备了氧化铝纳米线。其形成机制主要是多孔氧化铝膜生长的同时,其微结构单元阵列在薄膜应力作用下沿薄壁处破裂,从而生成了氧化铝纳米线。扫描电镜和透射电镜观测表明,所得产物结构外形基本一致,呈凹柱面正三棱柱形,表观直径约30～300nm,长度为几微米至数十微米。采用BET法对产物的比表面积进行测量,实验值为5.8×104m2/kg,接近于理论计算值6.2×104m2/kg。实验表明,这种氧化铝一维纳米结构材料对超小Ag和CdS纳米颗粒具有较强的吸附能力,对很难用传统的过滤和离心沉淀法去除的超小纳米颗粒(直径小于10nm)也能做到有效吸附,有望成为超级吸附与过滤材料。     

Si1-xGex∶C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

用化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层，继而外延生长了Ge晶体薄膜. 根据AES测量结果可以认为，缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4, C2H4反应而生成的Si1-xGex∶C外延层和由Si1-xGex∶C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层. 缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一，其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度，且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0E19cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.     

Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2、Et3都是由于衬底Si原子扩散到AlN引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2.Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,AlN中Et1和Et2两个深陷阱中心也是稳定的.     

InN材料及其应用

由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。     

黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究

采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响.实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响.这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应.文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制.     

智能电网系统中智能负载的关键作用

本文根据中国国情,提出"智能负载"这一新的理念。通过物联网将智能负载和智能电网结合起来构成"非并网多能源协同智能电网系统",该系统的核心是将中国大量的高耗能产业通过必要的技术创新,改造成能够适应风电等可再生能源和电网输出功率巨大波动的"智能负载",为中国政府提供一条适合国情、大幅度提高电网和发电装备利用效率,并将风电等可再生能源高效、低成本全部利用的新路径。     

城市隧道开挖钻爆施工围岩控制爆破技术

针对城市隧道开挖爆破对周围围岩体及建筑的扰动影响,基于强反射原理和损耗原理提出一种城市隧道开挖钻爆施工围岩控制爆破技术,并提出此技术的适用条件、设计步骤以及施工过程,可为控制爆破工程设计施工提供支撑理论。     

中国土木工程建设安全现状与风险监控对策

通过统计数据分析了我国土木工程建设安全现状和面临的严峻形势。论述了中国土木工程建设安全风险监控的现状和安全风险监控实践中的问题,这些问题包括:(1)安全风险监控基础研究与应用缺乏系统性;(2)尚未建立科学高效的安全风险监控体系;(3)安全风险监控信息化能力建设不足;(4)安全风险监控相关的法规、技术规范与标准滞后;(5)安全风险监控责任主体过于集中于施工企业;(6)安全风险监控队伍不规范,专业水平参差不齐。针对我国土木工程安全风险监控实践中的问题,提出了4条对策建议:(1)系统开展安全风险监控基础理论研究,建立健全相关法律法规和技术规范;(2)转变安全风险监控理念,构建安全风险监控工作体系;(3)构建科学高效的安全风险监控信息系统,提高安全风险监控信息化能力;(4)推行安全风险监控制度,规范安全风险监控专业队伍管理和评价体系。     

用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究

在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量.     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.