半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR) 的分子束外延生长

用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验表明,19个周期的反射镜获得了高达99％以上的高反射率．与此同时,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成15μm×15μm的正方形电流注入区,以此测定P型反射镜的串联电阻,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点,实验得出此P型反射镜的串联电阻仅为50Ω左右．在生长过程中,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中,生长这种半导体/超晶格反射镜相对其他半导体/半导体反射镜要节省很多外延生长时间,因此较适合应用于多层结构的光电器件中．     

中国能见度长期变化及区域特征分析

为找出中国不同类型观测站点能见度的变化特征及其影响因素,对中国350余个气象观测站29年（1980-2008年）的能见度观测数据进行了分析,并使用人口密度分布数据对观测站点进行分类。结果表明,我国大气能见度在1980年后呈现缓慢下降趋势,整体表现出西高东低的特征,且东部能见度逐年下降趋势显著。能见度下降地区多集中于气候湿润或人口密度较高的地区,且人口越密集,能见度恶化程度越显著,低能见度事件发生频率越高。我国西北,包括内蒙、新疆等人口密度较小、气候较为干燥的地区,其能见度呈现逐年好转的趋势,这可能与我国北方地区沙尘暴次数减少及强度减弱有关。我国华南能见度下降幅度最为显著,人为经济生产活动可能是造成这一现象最主要的原因,而我国华北和华东的能见度变化的区域协同性正逐渐增强,从一个侧面反映了该地区所面临的区域性污染加重的现象。     

长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器

新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs／GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1．3—1．6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL)，将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。     

涂敷介质目标的雷达散射截面

在金属目标表面涂敷吸波材料可以有效地抑制雷达散射截面,增强雷达目标的隐身性能.因此,精确的计算涂敷 介质目标的雷达散射截面(Radar Cross Section, RCS)尤为重要。文中提出了一种基于物理光学(Physical Optics, PO)的方法 来计算复杂涂敷介质目标的RCS。首先以涂敷两层介质的平板为例将FEKO 软件计算结果作为参照验证该算法的精确度, 然后分别以涂敷两层介质的平板和复杂的导弹为例体现该算法的效率。     

电子设备散热器热传导的三维数值模拟及结构优化

借助ANASYS软件对热解石墨(TPG)/胶层/Al三明治结构在温度作用下Mises等效应力的分布进行了数值模拟,并通过改变TPG层、胶层、Al板的厚度实现结构优化。结果表明:不论是Al层,还是TPG层或胶层,最大拉应力区域均出现在边缘拐角处,距离边缘拐角较远的区域表现较小的应力;边缘拐角处在加载温度后最易受损,实际工艺设计时尽量使边缘拐角钝化,缓解应力集中;Al层、TPG层、胶层厚度依次为0.3,3.9,0.3 mm,三明治夹层结构的热应力分布比较合理。     

软件问题生命周期模型研究

软件问题管理是软件测试的核心活动,也是软件测试管理的灵魂.探讨了软件问题管理的重要性,介绍了两种软件问题生命周期建模的基本模型,提出了一种包含子状态控制的状态可定制的改进的生命周期模型,最后基于提出的生命周期模型给出与其相应的建模方法.     

基于DDAM方法的排气降温装置抗冲结构优化设计

基于动态设计方法(DDAM),以某排气降温装置为对象建立有限元仿真计算模型,开展了动态冲击响应计算分析,并在此基础上提出了结构优化方案.基于结构优化前后的冲击应力响应结果对比,明确了提高排气降温装置抗冲击性能的结构优化方向.     

B廓了在n（Si）—GaAs层中的化学补偿效应

Ｂ注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ，，当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＹＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢｇａＳｉＡｓ，由于所产生的受主与ｎ层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ 的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应，本采用霍测量及光致光发测量对Ｂ的补偿行为进行分析。     

基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器

结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射.     

白鹤滩水电站工程建设关键技术进展和突破

白鹤滩水电站是目前在建的世界最大水电站,工程建设过程中面临复杂地形地质地震地灾条件下高坝大库建设、巨型水轮发电机组大型地下洞室群安全高效施工、高水头大流量窄河谷非对称300 m级高拱坝泄洪消能、百万千瓦级水轮发电机组制造安装等难题。中国长江三峡集团有限公司与参建单位联合攻关,在300 m级白鹤滩高拱坝建设关键技术、泄洪消能技术、百万千瓦级水轮发电机组地下电站洞室群开挖技术、枢纽区工程边坡和地质灾害防治安全技术、智能化建设技术等方面取得了重大进展和突破,提升了我国坝工技术和水平。