陶瓷材料的激光合成工艺研究

采用激光作热源合成了Ａｌ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，ＣｄＯ－ＷＯ_３，Ｆｅ_２Ｏ_３－ＷＯ_３等系列陶瓷材料。测量这些材料的阻温特性，结果表明这些材料都是负温度系数热敏电阻材料。讨论激光合成陶瓷工艺过程中所表现出来的特殊生长形态，这些形态与激光在合成材料中形成的温场分布、材料的导热特性、材料对激光的吸收等有关。通过理论计算得出的温场分布与实验结果很好符合。论述用激光作热源合成陶瓷与传统工艺相比所具有的独特优点，指出该工艺目前尚未解决的问题及今后的研究方向。     

S0l—Gel法制备BST铁电薄膜及其性能分析

用SoI—Gel法制备出表面致密，界面清晰的BST铁电薄膜。分析了BST薄膜的J-V特性，由于使用了不同的上下电极，导致J—V曲线的不对称，且在外延生长的Pt电极上制备的BST薄膜有较低的漏电流。分别在大气和干燥气氛下测量了BST薄膜的介电特性，分析结果表明：湿度对BST薄膜的介电特性有很大的影响,为了得到正确的介电特性，其测量必须在真空或干燥气氛下进行。     

Photoluminescence properties and chemical bond variations of SiN x :H films with silicon quantum dots

Hydrogenated silicon nitride(SiNx :H) thin films are deposited on p-type silicon substrates by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) using a gas mixture of ammonia and silane at 230 °C.The chemical compositions and optical properties of these films,which are dealt at different annealing temperatures,are investigated by Fourier transform infrared(FTIR) absorption spectroscopy and photoluminescence(PL) spectroscopy,respectively.It is shown that the FTIR presents an asymmetric Si-N stretching mode,whose magnitude is enhanced and position is shifted towards higher frequencies gradually with the increase of the annealing temperature.Meanwhile,it is found that the PL peak shows red shift with its magnitude decreasing,and disappears at 1100 °C.The FTIR and PL spectra characteristics suggest that the light emission is attributed to the quantum confinement effect of the carriers inside silicon quantum dots embedded in SiNx : H thin films.     

CYFP型游车防碰仪的设计

文章介绍了CYFP型游车防碰仪的硬件和软件结构，工作原理，该仪器应用于钻井作业中，在游车上下移动中完成自动刹车功能，防止游车上碰天车，下轧平台，从而减少钻井作业工程中安全事故的发生。     

晶化前后有源层的刻蚀对poly—Si TFT性能的影响

在普通玻璃衬底上低温（600度以下）制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点,采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀有poly-Si TFT性能的影响。     

武冈市娱乐场所消防安全专项治理效果明显

8月2日至20日,武冈市政府部署全市开展了公共文化娱乐场所消防安全专项治理活动。近年来,武冈市的歌舞厅,娱乐城,影视厅等公共娱乐场所发展很快,在消防安全方面存在的问题日趋严重,火险隐患十分突出,对此,市政府决定开展一次专项治理活动。副市长高同德同志任领导小组组长,政府办付主任廖勤俭同志任付组长,建委、公安、工商、文     

抓六个落实 结安全硕果

武冈市商业局管辖12个公司、厂、店(场),现有干部职工2200多人,有大小门店、车间162个,商品仓储面积16594平方米,生产和营业用房23754平方米,安全防火工作点多、面广、线长,困难大,任务重。局领导为确保国家财产和广大职工的生命安全,积极贯彻“预防为主,防消结合”的方针,坚持把消防安全工作与生产、营销同等对待,狠抓了六个“落实”,实现了全系统连续五年无火警火灾的好形势。     

相反转乳液接枝合成EPDM-g-SAN及AES树脂的制备

用相反转乳液共聚合法合成了苯乙烯-三元乙丙橡胶-丙烯腈接枝共聚物(EPDM-g-SAN),用其与SAN树脂共混制备AES.研究了An在共单体中的比率对接枝共聚合反应行为及AES的缺口冲击强度的影响.结果表明,随着An比率的增加,单体转化率(CR)出现最大值,达到97.5%,接枝率(GR)与接枝效率(GE)则逐渐提高;其AES的缺口冲击强度在An比率为35%～40%范围内出现最大值,达到46.0kJ/m2.SEM和TEM分析表明,An比率为35%的EPDM-g-SAN在SAN树脂基体中有良好的分散性,相界面结合紧密,并证实其AES的增韧机理以空穴化为主兼有剪切屈服,故接枝共聚物对SAN树脂具有优良的增韧效应.     

多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高     

玻璃和聚酰亚胺衬底上磁控溅射沉积的ZnO:Al透明导电膜的结构、电学和光学性能(英文)

利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明,衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响,对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性,在可见光区(400～800nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的(002)衍射峰及相对更小的半峰全宽(FWHM),薄膜电阻率达到了2.352×10-4Ω.cm。电镜分析表明,相对于PI上的ZnO∶Al膜,玻璃上ZnO∶Al膜表面有更致密的微观结构及更大的晶粒尺寸。PI衬底上的ZnO∶Al膜也有相对较好的电、光学性能,其中电阻率达到了6.336×10-4Ω.cm,而且由于PI衬底柔性可弯曲,使得它适于在柔性太阳电池和柔性液晶显示中做窗口层材料及透明导电电极。玻璃上的ZnO∶Al膜则可应用在平板显示和太阳电池技术中。