全文获取类型
收费全文 | 137篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 7篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 1篇 |
化学工业 | 41篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 9篇 |
矿业工程 | 3篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 2篇 |
水利工程 | 6篇 |
石油天然气 | 4篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 54篇 |
一般工业技术 | 21篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 2篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 2篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 3篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 10篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 13篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 2篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 12篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 3篇 |
1995年 | 12篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 4篇 |
排序方式: 共有148条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
以悬浮法实施二元乙丙橡胶(EPM)与单体苯乙烯(St)和丙烯腈(AN)的接枝共聚反应。合成了EPM—g—SAN,用其与SAN树脂共混制备了高抗冲塑料乙丙橡胶与苯乙烯及丙烯腈的三元共聚物(AES)。研究了AN/St—AN和EPM/St-AN的配料比对接枝反应体系的单体转化率、接枝率和接枝效率及AES缺口冲击强度的影响。用FTIR对EPM—g—SAN所含g—SAN(包括接枝链和非接枝共聚物)的组成进行了定量分析。结果表明,当AN质量分数为35%、EPM质量分数为60%,接枝反应体系的单体转化率、接枝率和接枝效率分别为92%、45%和27.6%。在此条件下合成的EPM—g—SAN对SAN树脂的增韧效率最高,用其制备的AES的悬臂梁缺口冲击强度达到53.2kJ/m^2。FTIR定量分析表明,在EPM—g—SAN的g—SAN中AN单元的平均组成比小于AN单体的配料比,而AN单元在接枝链SAN中的组成比小于在非接枝共聚物SAN中的组成比;当g—SAN所含接枝链的组成与非接枝共聚物的组成相等时,其EPM—g—SAN对SAN树脂有更高的增韧效率。 相似文献
82.
溶胶-沉淀法制备钛酸锶钡粉末及其水热处理 总被引:5,自引:0,他引:5
通过溶胶一沉淀法制备出完全钙钛矿结构的Ba0.71Sr0.29TiO3(BST)粉末,粉末的颗粒尺寸约为300nm。但得到的BST粉末不稳定,在乙酸中容易兮解。通过TG-DTA和XRD分析,直接沉淀得到的粉末颗粒失重大,而且由于颗粒所吸附的有机物阻碍了Ba^2 和Sr^2 的扩散,造成了直接沉淀的BST颗粒内部的组分不均匀和结晶不完全。通过对直接沉淀的BST粉末进行150-200℃的水热后处理,其结晶性得到了很大的改善,稳定性也得到了提高。实验表明,水热处理具有与烧结相似的效果,但BST粉末的分散性得到了改善。 相似文献
83.
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106. 相似文献
84.
采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长ZnO薄膜.生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向.利用X射线衍射(XRD)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度300 ℃,溅射气压1 Pa,氩氧比为25 sccm∶15 sccm.在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好.采用这种方法制备的ZnO薄膜适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极. 相似文献
85.
朱勇平;王炼石;蔡彤旻;王霞;曾祥斌;林城 《中国塑料》2009,23(10):40-44
用悬浮接枝共聚合法合成了乙烯/1-丁烯共聚物(PEB)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯腈(AN)的接枝共聚物(PEB-g-MAN),并用其增韧苯乙烯/丙烯腈共聚物(SAN)。研究了SAN/PEB-g-MAN共混物的力学性能、增韧机理和相结构。结果表明:PEB-g-MAN是SAN树脂的优良增韧剂,当PEB用量为25 %时,SAN/PEB-g-MAN的缺口冲击强度达63.3 kJ/m2,约为SAN树脂的60倍。SAN/PEB-g-MAN共混物在PEB含量为15 %-20 %时发生脆韧转变。脆韧转变前、脆韧转变过程中和脆韧转变后的冲击断面形态的SEM分析表明,共混物的增韧机理先是裂纹支化终止和空穴化,随后为高度空穴化,再为基体剪切屈服兼空穴化,最后转变为空穴化为主,剪切屈服为辅。TEM分析表明,PEB均匀分散于SAN连续相中,两相界面模糊,具有良好的相容性,且随着PEB含量的增加,共混物的相结构由"海-岛"结构转变为"双连续相"结构。 相似文献
86.
用(乙烯/丙烯/二烯)共聚物(EPDM)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)、丙烯腈(AN)进行溶液接枝共聚合成了(EPDM/MMA/AN)接枝共聚物(EPDM-g-MAN),并将其与(苯乙烯/丙烯腈)共聚物(SAN)共混制得高抗冲耐老化黄变性能优异的EPDM-g-MAN/SAN共混物(AEMS).研究了AN用量对不同EPDM-g-MAN接枝体系单体转化率(CR)、接枝率(GR)、接枝效率(GE)及AEMS缺口冲击强度的影响.结果发现,随着AN用量的增加,EPDM-g-MAN的CR逐渐下降;GR、GE在AN质量分数为5%时出现最大值;AEMS的缺口冲击强度均在AN质量分数为10%时出现最大值,为61.0 kJ/m2;EPDM相以条状形态构成的近连续相结构存在,径向尺寸较小的EPDM条形结构能诱发SAN基体剪切屈服,径向尺寸较大的EPDM条形结构仅能诱发基体空穴化. 相似文献
87.
88.
量子点是一种具有量子限域效应的半导体纳米晶,近年来,以其优异的光电特性得到了广泛关注。量子点具有发光效率高、发光波长可调、发光半峰宽窄、可溶液法低成本制备等优势,已被大量应用于显示领域,成为了新型显示的核心材料之一。微显示技术一般应用于有效显示区域对角线长度小于1 inch的近眼显示场景中,近年来虚拟现实、增强现实等近眼显示场景的兴起,对高亮度、高像素密度、全彩色的微显示技术提出了更高的要求。本文将从量子点应用于高亮度、高像素密度的全彩微显示技术的角度出发,从光致发光和电致发光两条技术路线对现有的进展进行回顾和总结,最后对量子点应用于微显示技术面临的机遇和挑战进行展望。 相似文献
89.
用乳液法合成聚丙烯酸丁酯(PBA)作为种子乳液,与甲基丙烯酸甲酯及苯乙烯(MMA-St)进行接枝共聚合,用其接枝产物PBA-g-MS与PMMA熔融共混制备MBAS.通过分子设计,合成出能使MBAS兼具高透光率及高冲击强度的PBA-g-MS.研究了聚合条件与接枝反应行为之间的关系和MBAS的透光率及冲击强度的影响因素.当合成PBA-g-MS的投料质量比PBA/MMA/St为60/4/36、PBA/MBAS为2.5%时,MBAS的透光率、冲击强度分别达到90%、23.8kJ/m2. 相似文献
90.
以(乙烯/1丁-烯)共聚物(PEB)、苯乙烯(St)和丙烯腈(AN)为原料,采用悬浮接枝共聚法合成了(苯乙烯/丙烯腈)共聚物(SAN)接枝PEB(PEB-g-SAN),用其与SAN熔融共混制备了冲击性能优异的增韧塑料AEBS。研究了反应条件对单体转化率(CR)、接枝率(GR)、接枝效率(GE)及AEBS冲击性能的影响。结果表明,在适宜的聚合条件下,PEB/St-SAN悬浮接枝体系具有较高的CR、GE和GR,分别可达94.8%、49.3%和38.2%。当PEB质量分数为25%时,AEBS的缺口冲击强度高达42.8 kJ/m2,约为纯SAN(1.2 kJ/m2)的35倍。扫描电子显微镜分析表明,增韧机理以剪切屈服为主。动态机械分析表明,在PEB-g-SAN接枝反应中,当PEB质量分数为55%、AN为35%时,其增韧的AEBS的两个tanδ峰向内靠拢程度最大,SAN与PEB-g-SAN的相容性最好。 相似文献