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51.
相反转乳液接枝合成EPDM-g-SAN及AES树脂的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
用相反转乳液共聚合法合成了苯乙烯-三元乙丙橡胶-丙烯腈接枝共聚物(EPDM-g-SAN),用其与SAN树脂共混制备AES.研究了An在共单体中的比率对接枝共聚合反应行为及AES的缺口冲击强度的影响.结果表明,随着An比率的增加,单体转化率(CR)出现最大值,达到97.5%,接枝率(GR)与接枝效率(GE)则逐渐提高;其AES的缺口冲击强度在An比率为35%~40%范围内出现最大值,达到46.0kJ/m2.SEM和TEM分析表明,An比率为35%的EPDM-g-SAN在SAN树脂基体中有良好的分散性,相界面结合紧密,并证实其AES的增韧机理以空穴化为主兼有剪切屈服,故接枝共聚物对SAN树脂具有优良的增韧效应. 相似文献
52.
53.
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明,衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响,对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性,在可见光区(400~800nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的(002)衍射峰及相对更小的半峰全宽(FWHM),薄膜电阻率达到了2.352×10-4Ω.cm。电镜分析表明,相对于PI上的ZnO∶Al膜,玻璃上ZnO∶Al膜表面有更致密的微观结构及更大的晶粒尺寸。PI衬底上的ZnO∶Al膜也有相对较好的电、光学性能,其中电阻率达到了6.336×10-4Ω.cm,而且由于PI衬底柔性可弯曲,使得它适于在柔性太阳电池和柔性液晶显示中做窗口层材料及透明导电电极。玻璃上的ZnO∶Al膜则可应用在平板显示和太阳电池技术中。 相似文献
54.
采用大功率CO2激光器合成出了Al2O3-WO3陶瓷材料。测量其阻-温特性表明合成样品具有线性的NTC热敏电阻特性,微观分析结果证明激光合成样品由Al2O3、WO3、Al2(WO4)3、AlxWO3四相组成,而起导电作用的是AlxWO3这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Al2O3-WO3陶瓷材料所得试样没有线性的NTC热敏电阻特性。 相似文献
55.
56.
铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜 总被引:8,自引:0,他引:8
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(<600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在560℃退火6h后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理. 相似文献
57.
带本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低,暗电导大,光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜,并通过分析薄膜的透射光谱,采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙,为约1.87eV,衬底温度为180℃,放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳。 相似文献
58.
用悬浮接枝共聚法合成了乙烯-1-丁烯共聚物(PEB)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)-丙烯腈(AN)的接枝共聚物(PEB-g-MAN)。用不同性质的溶剂以抽提法将接枝共聚产物所含组分逐步分离,用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)分析了各组分聚合物的归属。研究了AN/(MMA+AN)投料质量比(fAN)对接枝共聚反应行为及产物各组分含量的影响。用凝胶渗透色谱法(GPC)对各组分相对分子质量及其分布进行了表征。结果发现,接枝共聚体系存在PEB与MMA-AN接枝共聚、PEB与MMA接枝均聚、MMA与AN共聚和MMA均聚等基元反应。 相似文献
59.
采用CO2激光合成陶瓷材料工艺合成出Al2O3-WO3线性热敏电阻材料,该材料在-20-230℃范围内具有良好线性,讨论了激光合成工艺参数如激光功率、作用时间等对合成材料性能的影响,分析了合成材料的导电机理。 相似文献
60.
家用热水器的电磁阀长期与煤气接触,易受煤气中氯离子和硫离子等杂质的腐蚀。采用磁射频反应溅射技术,对电磁阀的表面进行了真空渗氮处理,并在表面沉积性能优良的氮化铝(AlN)钝化膜,试验表明,该方法可提高电磁阀的抗蚀性。 相似文献