悬浮法PEB-g-SAN的合成及其对SAN树脂的增韧作用

以(乙烯/1丁-烯)共聚物(PEB)、苯乙烯(St)和丙烯腈(AN)为原料,采用悬浮接枝共聚法合成了(苯乙烯/丙烯腈)共聚物(SAN)接枝PEB(PEB-g-SAN),用其与SAN熔融共混制备了冲击性能优异的增韧塑料AEBS。研究了反应条件对单体转化率(CR)、接枝率(GR)、接枝效率(GE)及AEBS冲击性能的影响。结果表明,在适宜的聚合条件下,PEB/St-SAN悬浮接枝体系具有较高的CR、GE和GR,分别可达94.8%、49.3%和38.2%。当PEB质量分数为25%时,AEBS的缺口冲击强度高达42.8 kJ/m2,约为纯SAN(1.2 kJ/m2)的35倍。扫描电子显微镜分析表明,增韧机理以剪切屈服为主。动态机械分析表明,在PEB-g-SAN接枝反应中,当PEB质量分数为55%、AN为35%时,其增韧的AEBS的两个tanδ峰向内靠拢程度最大,SAN与PEB-g-SAN的相容性最好。     

HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究

对用于HIT太阳电池的单晶硅要求有良好的界面特性,而且要求单晶硅衬底的厚度比较薄.采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底.腐蚀时间为40 min时,能够得到表面反射率最低的界面,平均反射率为10.9%,同时也具有规则的金字塔结构,且厚度满足制作HIT太阳电池的要求,在250 μm左右.还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片,具有较高的腐蚀速率.     

溶胶-沉淀法制备钛酸锶钡粉末及其水热处理

通过溶胶一沉淀法制备出完全钙钛矿结构的Ba0.71Sr0.29TiO3(BST)粉末,粉末的颗粒尺寸约为300nm。但得到的BST粉末不稳定,在乙酸中容易兮解。通过TG-DTA和XRD分析,直接沉淀得到的粉末颗粒失重大,而且由于颗粒所吸附的有机物阻碍了Ba^2 和Sr^2 的扩散,造成了直接沉淀的BST颗粒内部的组分不均匀和结晶不完全。通过对直接沉淀的BST粉末进行150-200℃的水热后处理,其结晶性得到了很大的改善,稳定性也得到了提高。实验表明,水热处理具有与烧结相似的效果,但BST粉末的分散性得到了改善。     

电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.     

RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZnO薄膜

采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长ZnO薄膜.生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向.利用X射线衍射(XRD)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度300 ℃,溅射气压1 Pa,氩氧比为25 sccm∶15 sccm.在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好.采用这种方法制备的ZnO薄膜适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极.     

PEB-g-MAN增韧SAN树脂的力学性能及增韧机理的研究

用悬浮接枝共聚合法合成了乙烯/1-丁烯共聚物（PEB）与甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯腈(AN)的接枝共聚物（PEB-g-MAN）,并用其增韧苯乙烯/丙烯腈共聚物（SAN）。研究了SAN/PEB-g-MAN共混物的力学性能、增韧机理和相结构。结果表明：PEB-g-MAN是SAN树脂的优良增韧剂,当PEB用量为25 %时,SAN/PEB-g-MAN的缺口冲击强度达63.3 kJ/m2,约为SAN树脂的60倍。SAN/PEB-g-MAN共混物在PEB含量为15 %-20 %时发生脆韧转变。脆韧转变前、脆韧转变过程中和脆韧转变后的冲击断面形态的SEM分析表明,共混物的增韧机理先是裂纹支化终止和空穴化,随后为高度空穴化,再为基体剪切屈服兼空穴化,最后转变为空穴化为主,剪切屈服为辅。TEM分析表明,PEB均匀分散于SAN连续相中,两相界面模糊,具有良好的相容性,且随着PEB含量的增加,共混物的相结构由"海-岛"结构转变为"双连续相"结构。     

EPDM-g-MAN的合成及AEMS的冲击性能研究

用(乙烯/丙烯/二烯)共聚物(EPDM)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)、丙烯腈(AN)进行溶液接枝共聚合成了(EPDM/MMA/AN)接枝共聚物(EPDM-g-MAN),并将其与(苯乙烯/丙烯腈)共聚物(SAN)共混制得高抗冲耐老化黄变性能优异的EPDM-g-MAN/SAN共混物(AEMS).研究了AN用量对不同EPDM-g-MAN接枝体系单体转化率(CR)、接枝率(GR)、接枝效率(GE)及AEMS缺口冲击强度的影响.结果发现,随着AN用量的增加,EPDM-g-MAN的CR逐渐下降;GR、GE在AN质量分数为5%时出现最大值;AEMS的缺口冲击强度均在AN质量分数为10%时出现最大值,为61.0 kJ/m2;EPDM相以条状形态构成的近连续相结构存在,径向尺寸较小的EPDM条形结构能诱发SAN基体剪切屈服,径向尺寸较大的EPDM条形结构仅能诱发基体空穴化.     

石墨烯制备、改性及其聚合物复合材料研究进展

石墨烯是由海姆和诺沃肖洛夫2004年首先制备的,是世界上最薄的二维材料,其厚度仅为0.35nm。石墨烯的优异性能及应用前景使其成为国内外的研究热点。本文综述了近年来石墨烯制备、改性及其聚合物复合材料研究进展。展望石墨烯填料在塑料领域的应用前景。     

晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响

在普通玻璃衬底上低温 ( 6 0 0℃以下 )制备 poly SiTFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点。采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly SiTFT性能的影响。     

微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（小于600℃）高质量多晶硅薄膜已成为研究热点,文章利用微波加热技术,采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管,研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。