改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进，通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火，成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料. 实验结果表明：顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失，退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布，同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集. 在高温条件（1150℃）下制备的SGOI材料应力完全释放，几乎没有引入位错.     

SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延

报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达     

内表面等离子体浸没离子注入过程的数值模拟

采用流体模型对圆筒内表面PIII过程进行了二维数值模拟,研究了筒内鞘层扩展和交叉重叠对内表面注入的注入能量和注入剂量的影响.通过模拟发现,内表面注入过程存在注入能量和注入剂量偏低的问题,但前者并不十分严重,而后者则比较严重.在鞘层发生交叉重叠后筒内出现的高能离子流对注入能量和注入剂量偏低的问题有改善作用.     

发挥核心城市优势,促进区域协同发展

<正>"世界城市日"是2010年上海世博会的重要精神遗产。这是我国政府在联合国推动设立的第一个国际日,目的是促进国际世界共同关心城市可持续发展,传承和延续"城市,让生活更美好"的理念。城市是代表一个国家经济发展水平和社会文明进步的重要标志,目前全球55%以上的人口已经居住在城市,到2050年预计将有68%的人口生活居住在城市。在城市化进程加快的同时,城市群协调发展受到越来越多的关注。上海是中国乃至全球人口密度最大的超大城市之一。2018年,上海市委市政     

不同靶材料的高功率脉冲磁控溅射放电行为

选择具有不同溅射产额的靶材料(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),研究了其高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)放电靶电流波形随靶电压的演化行为.发现所有材料都满足5个阶段顺序放电特征,但是不同溅射产额的材料的相同放电阶段所需要的靶电压呈现先增加后下降的趋势,根据放电难易的不同分别表现出一定阶段的缺失.对其靶电流平均值、峰值和平台值的统计显示,溅射产额高的靶材料自溅射容易,平台稳定,对靶电流的贡献主要为平台值(金属放电),比较适用于HPPMS方法沉积薄膜;而溅射产额低的靶材料气体放电明显,靶电流主要由峰值(气体放电)贡献,不利于薄膜沉积.     

9Cr18轴承钢氮等离子体浸没离子注入表面改性工艺及机理的研究

采用不同怕等离子体浸没离子注入工艺对９Ｃｒ１８轴承钢进行了氮离子注入,结果发现,不同条件下的氮离子注入均能显著提高９Ｃｒ１８钢表面的显微硬度和耐磨性,同时耐磨蚀性也明显改善。实验分析结果表明、氮离子注入后试样表面形成了大量的氮化物相,它们在改善材料表面特性中起到了关键的作用。     

离子束辅助沉积A12O3薄膜的微观状态及其物理特性研究

本利用透射电子显微镜、原子力显微镜、X光电子能谱等微观分析手段，系统研究了氧离子束辅助离子束沉积方法制备的Al2O3薄膜的化学成分、微观结构、表面形貌及其随退火温度的变化，并对Al2O3薄膜折射率、显微硬度和膜基结合强度等物理特性及其随沉积温度的变化进行了详细研究。研究发现：用离子束辅助沉积制备的薄膜基本满足Al2O3的标准成分配比；在沉积温度低于500℃制备的Al2O3薄膜以非晶Al2O3相a—Al2O3为主；Al2O3薄膜的表面粗糙度、折射率、显微硬度随沉积温度的增加而增加；当沉积温度高于200℃时，薄膜与基体间的膜基结合强度将随沉积温度的增加而下降。分析表明：薄膜表面形貌与晶体内部的结构相变有关，薄膜的退火相变途径为a—Al2O3800℃→γ-Al2O31000℃→γ-Al2O3 α-Al2O31200℃→α-Al2O3。     

Effects of heat treatment on characteristics of porous Ni-rich NiTi SMA prepared by SHS technique

The effects of heat treatment on the microstructure and compressive properties of porous Ni-rich NiTi shape memory alloy （SMA） fabricated by self-propagating high-temperature synthesis （SHS） were investigated. The solution treatment at 1050℃ has little effects on stable Ti2Ni second phase, however, it decreases the amount of Ni4Zi3 phase derived from the SHS process and results in the improvement of the ductility of porous NiTi SMA. The subsequent aging treatment after solution treatment could lead to the precipitation of the discrete Ni4Ti3 phase in NiTi matrix grains, which increases the brittleness of porous NiTi SMA. Porous NiTi SMA presents a composite fracture behavior consisting of a ductile fracture of NiTi matrix and a cleavage fracture of second phase particles. Many cracks existing on the interfaces indicate that the bonding of the matrix with second phase particles is weak.     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.     

生物活性聚乳酸/SiO2-CaO复合薄膜的制备和表征（英文）

以聚乳酸、正硅酸乙酯和硝酸钙为原料,采用溶胶-凝胶方法制备了不同比例的聚乳酸/SiO2-CaO多孔复合薄膜.采用扫描电子显微镜和红外光谱仪对薄膜的微观结构和组成进行分析,并利用表面Zeta电位测定仪对其表面电位进行表征,通过模拟体液浸泡实验和MTT方法对薄膜的生物活性和细胞毒性进行评价.结果表明:复合薄膜在模拟体液中经过7d的浸泡,薄膜表面形成了环状结构的类骨磷灰石层;随着SiO2-CaO含量增加,复合薄膜表面微孔的孔径变小,薄膜表面Zeta电位变负,诱导类骨磷灰石沉积的能力增强;MTT实验证实复合薄膜对MG-63细胞没有毒性且有利于细胞的增殖.