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针对工业控制网络环境的复杂性和入侵检测要求的特殊性,提出了基于异常行为模式的入侵检测特征提取方法。以Modbus/TCP工业控制网络为检测对象,通过深度解析异常行为的操作模式,提取通信流量的入侵检测数据特征,同时,为了去除冗余的检测信息,利用粗糙集理论(RST)的方法进行检测特征的属性约简,最后结合支持向量机(SVM)算法的分类优点,并利用自适应遗传算法(AGA)进行模型参数优化,建立基于RST-SVM算法的自学习式入侵检测模型。根据实际的检测性能对检测特征和模型参数进行学习。研究表明,该方法降低了入侵检测模型的复杂度和检测时间,提高了对异常攻击行为的检测率,能够满足工控网络入侵检测高效性和实时性的要求。 相似文献
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文章对嵌入式系统设计中存储器常见问题进行了分析,介绍了一种快速有效的存储器测试方法,并以MPC860通信处理器为CPU的系统为例,详细描述了如何实际应用该测试方法。 相似文献
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浙江省早期修建的泡沫沥青冷再生路面开始进入修复阶段,为了解决旧材料二次再生的问题,2013年在S102杭昱线昌化段进行了2KM的材料二次再生试验段。试验段分别采用泡沫沥青与水泥作为稳定剂,并分别进行了材料的配合比设计,采用厂拌冷再生施工工艺分别进行了两段试验路的铺筑。实践证明,两种二次冷再生混合料能够满足相关路用性能的要求,达到了预期的效果,为下一步的推广应用积累了数据和经验。 相似文献
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本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。 相似文献