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31.
本文主要采用溶胶凝胶法和低温溶剂热处理过程相结合,在非织造布上合成了纳米光催化剂,实现了光催化性能。利用扫描电镜,激光拉曼以及光催化性能评价等手段研究了制备条件,微观结构对功能化非织造布性能的影响规律。发现通过溶胶凝胶法可以在非织造布表面形成很好的功能化改性。  相似文献   
32.
概述了清华大学化学系最近几年在钨钼酸盐复合氧化物新型光催化剂方面的研究工作。以Bi2WO6,ZnWO4,Bi2MoO6等几个典型的钨钼酸盐为实例对钨钼酸盐的可控合成,如纳米棒、纳米片、多孔薄膜的合成,光催化氧化性能,催化作用机理,及材料的改性方面进行了介绍及总结。  相似文献   
33.
为研究纳米材料表面性质对选择性降低卷烟烟气中主要有害成分的影响,对亲水性纳米SiO2用三甲基氯硅烷进行了疏水改性,并将改性前后的纳米SiO2分别添加到烟丝和滤嘴中研究其对卷烟烟气有害成分含量的影响.结果表明:亲水纳米SiO2改性后,表面的硅羟基基本消失,样品呈现疏水性;烟丝中添加疏水改性纳米SiO2后,烟气中苯酚含量降低27.2%,巴豆醛降低12.4%,CO含量略有降低;与此相反,亲水性纳米SiO2不但没有使巴豆醛、苯酚以及CO的含量降低,反而有不同程度的上升;滤嘴中添加疏水纳米SiO2后,可选择性降低烟气中13.1%的苯酚和8.4%的巴豆醛;添加亲水纳米SiO2不能降低苯酚和巴豆醛的含量.因此,纳米材料的表面疏水性对其选择性吸附烟气中弱极性有害成分有重要作用.  相似文献   
34.
玻璃珠负载中孔TiO2纳米薄膜光催化研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
采用玻璃珠为基底材料,钛酸正丁酯为前驱物,PEG400为造孔剂制备了TiO2中孔纳米薄膜。利用SEM、TEM、AES和Raman光谱研究了薄膜的表面性能和结构特性。利用甲醛为探针分析,研究了该薄膜的光催化活性,并讨论了其催化活性与结构特性的关系。结果表明,该薄膜催化剂具有高催化活性和长催化寿命。且当膜层为3层(对应薄膜厚度约为210nm),PEG添加量为15%,400℃煅烧2h制备条件最佳。  相似文献   
35.
金刚石表面Cr金属化的界面扩散反应研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用直流磁控溅射法在金钢石颗粒表面沉积了厚度为150nm的金属Cr薄膜。SEM研究表明在金刚石表面形成的Cr膜基本均匀,但有小的金属聚集体存在。俄歇深度剖析研究发现,在镀膜过程中Cr膜和金刚石基底间发生了显著的界面扩工用作用。相应的俄歇线形分析表明,沉积过程中在界面上发生化学反应形成了部分Cr2C3物种。溅射沉积功率对金刚石颗粒与金属Cr膜的界面反应有较大的影响,提高溅射功率可大大促进Cr元素的扩  相似文献   
36.
在保证选择性的前提下高效光催化氧化苯甲醇为苯甲醛仍然是当下面临的一个巨大挑战。g-C3N4的价带位置适中,具有温和的氧化能力,已被开发用来光催化氧化苯甲醇以保证反应的选择性,但由于其电子空穴复合率高导致反应的转化率难以提升。由于Bi2O2CO3的超薄片层结构不仅可以增加催化剂的比表面积形成更多的活性中心,同时可以形成局部电场,更有效地分离光生电子-空穴对,因此通过构建Bi2O2CO3/g-C3N4异质结来加快光生载流子分离进而提升反应速率。其中最优的催化剂可以在反应9 h后使苯甲醇完全氧化为苯甲醛,降低了分离成本。  相似文献   
37.
纳米光催化技术在降解塑料领域表现出巨大的潜力。综述了国内外纳米光催化降解塑料的研究进展,介绍了纳米光催化技术应用于降解塑料领域的机理,并对今后的发展方向进行了展望。  相似文献   
38.
利用磁控溅射的方法在金刚石薄膜表面沉积了250nm厚的金属Ti层,通过300 ̄600℃的真空热处理,促进了Ti与金刚石之间的界面扩散反应。利用俄歇电子能谱研究了Ti/金刚石薄膜界面的结合状态,发现在界面上形成了Ti的碳化物。并发现Ti与金刚石薄膜发生了大幅度的界面扩散反应,Ti元素渗入金刚石层达600nm,促进了Ti与金刚石之间形成良好的化学结合,为获得高性能的金刚石切削工具提供了可能。界面扩散反  相似文献   
39.
运用XPS和AES研究了PZT薄膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应:在热处理过程中,气氛中的氧气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si界面上,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散到样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TISix金属硅化物,并残留在PZT膜层和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有机结碳和钛的氧化物发生还原反应形成了TiCx物种,并存在于PZT膜层中。  相似文献   
40.
利用XPS分析技术原位研究层状结构的石墨碳及碳纳米管材料与Ar离子束的相互作用机理,以及对层状碳材料电子结构的影响。研究结果表明,Ar离子束与层状碳材料作用后,构成层状结构的以sp^2杂化为基础的C-C共轭π键被Ar离子束打断,形成了新的C-C键。  相似文献   
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