首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   61篇
  免费   1篇
  国内免费   3篇
综合类   2篇
化学工业   4篇
金属工艺   2篇
机械仪表   2篇
建筑科学   6篇
能源动力   1篇
轻工业   3篇
无线电   1篇
一般工业技术   43篇
原子能技术   1篇
  2021年   1篇
  2019年   2篇
  2013年   5篇
  2011年   4篇
  2010年   3篇
  2008年   2篇
  2007年   4篇
  2006年   2篇
  2005年   3篇
  2004年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   3篇
  1999年   3篇
  1998年   4篇
  1996年   8篇
  1995年   6篇
  1994年   7篇
  1993年   2篇
  1992年   1篇
排序方式: 共有65条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
朱永法 《建筑》2010,(18):46-46,50
<正>某建设集团中标总承包施工的省重点工程—某市大型奥体中心体育场馆工程项目是由国家与省、市共同投资兴建的,投资数额较大,工期约15个月。此大型体育公建项目可容纳10万人,主要包括奥运主体土建、灯塔、火炬塔、观众席外挑篷等钢  相似文献   
42.
伴随着我国建筑市场逐步完善和发展,以及建筑市场竞争的日趋激烈,工程投标文件的质量和就越来越显得重要。结合当前工程标书编制工作的时际情况,现将工程投标文件编制程序及其应掌握的几点原则探讨如下,以供商榷。  相似文献   
43.
研究了卷烟嘴棒中分别添加纳米TiO2、纳米SiO2以及纳米Al2O3对卷烟主流烟气中主要有害成分含量的影响。结果显示,纳米SiO2可有效降低主流烟气中苯并[α]芘、苯酚和巴豆醛的含量,而纳米TiO2以及纳米Al2O3则无明显效果,这与它们不同的孔结构密切相关。  相似文献   
44.
利用直流磁控反应溅射法在Al基底上制备了ZrN2及Ti多层薄层,利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理对Ti/ZrN2/Al样品膜层之间的界面化学状态和相互作用的影响,研究结果表明,真空热处理使Ti/ZrN2/Al薄膜界面上发生了明显的界面扩散和化学反应,生成了TiNx物种,并且薄膜内层发生了严重的氧化反应。  相似文献   
45.
运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜/Si界面休学结构和性能的影响:在PZT薄膜和Si工间增加Pt扩散阻挡层,可以抑制TiCx物种和TiSix物种的形成,促进PZT薄膜的形成反应。Pt扩散阻挡层的存在阻断了氧和Si的相互扩散反应,促进PZT物种形成钙钛矿型晶体结构,使得形成的PT薄膜具有和体相材料相摈 电常数和铁电性能。  相似文献   
46.
混凝土施工的强度是当前建筑业界最重视的一个环节,建筑质量的优劣决定了混凝土的强度和操作技术,因此,混凝土强度是工程建设最为重要的关键问题。那么如何评定混凝土强度,采用的是  相似文献   
47.
Ti/SiO_2界面反应的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用俄歇深度剖析和俄歇化学效应研究了Ti/SiO2的界面还原反应。结果表明,在薄膜样品的制备过程中,金属Ti可以和SiO2发生界面还原反应,形成TiSi和TiO2物种。薄膜样品在RTA处理时,Ti和SiO2的界面反应大幅度地增加,尤其是当RTA温度高于700℃时,界面反应增加得更快。700℃温度可能是Ti和SiO2界面反应的活化温度。随着反应时间的增加,界面反应也相应增加。当Ti层的厚度增加时,也有利于Ti和SiO2的界面反应。  相似文献   
48.
采用磁控溅射方法在Si基底上制备了Au/Cu薄膜.利用扫描俄歇微探针(SAM)纳米化分析技术进行表面成分分析与深度剖析,研究在真空环境中,紫外辐照、微氧氧含量及处理温度等因素作用对Au/Cu薄膜界面结构的影响.实验结果表明:环境温度的升高,使薄膜内缺陷增加,为Cu原子的扩散提供了更多的扩散通道;紫外辐照产生了等同的热效应,加剧了Cu原子在Au层中的扩散;微氧的存在诱导了Cu原子的扩散.三种因素协同作用下,诱导迁移扩散机制在室温下形成,并于处理温度达到100℃后趋于稳定.  相似文献   
49.
材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究EI   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文运用俄歇化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面,膜层及界面元素的化学状态。研究结果表明用作可燃气体传感器的氧化锡气敏薄膜在离子注Sb层中以SbSno_x物种存在,在无Sb层中则以Snox(x<1)形式存在。高能离子注入的金属Sb也以SbSnOx物种存在。具有太阳能选择性吸收功能的氮化铝薄膜则以AlN_xO_y物相存在。而APCVD法制备的氮化硅薄膜热氧化不稳定的本质则是由于成膜过程中在膜层中包埋了活性较强的自由硅,该自由Si容易和热处理气氛中的残余氧反应,从而促进了Si_3N_4簿膜层的氧化。  相似文献   
50.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号