10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

增镀光学薄膜改善DFB激光器的光谱特性

利用增镀光学薄膜的方法,有效地将原来处于双模工作的１．３μｍＤＦＢ激光器变为单模工作的激光器．选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用．从而改变了激光器的模式特性．实验表明,增镀光学薄膜技术可望成为改善ＤＦＢ激光器单模成品率的一种辅助方法     

布尔电路上保护隐私集合并集运算的研究与实现

隐私保护技术是当前信息安全领域的研究热点。然而,现阶段集合并集运算中的隐私保护技术侧重理论研究,在实验模型的开发上较为欠缺。针对该问题,该文首先设计了保护隐私的集合合并运算电路、去重电路和混淆电路,并应用YAO氏通用混淆电路估值技术提出了一种布尔电路上保护隐私的集合并集协议。然后,该文使用模拟器视图仿真法证明了协议的安全性。最后,基于MightBeEvil中的YAO氏混淆电路估值框架,开发了该文理论方案对应的实验模型。实验结果表明,在安全计算稀疏集合的并集时,所提算法效率优于当前布尔电路上的其他算法。     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB .     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。     

由浅离子注入实现的MQW混合

用浅Ｐ＾＋离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱（ＭＱＷ）激光器Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火,体内ＭＱＷ层发生组份混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）,导致器件的带隙波长蓝移（ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ）,结构的光荧光（ＰＬ）峰值波长向短波方向移动了７６ｎｍ。作者认为,有源区中的应力对量子阱混合起到了十分关键性的作用。     

离子注入和脉冲激光退火制备碲超饱和掺杂单晶硅pn结

Pn junctions based on single crystalline tellurium supersaturated silicon were formed by ion implantation followed by pulsed laser melting（PLM）.P type silicon wafers were implanted with 245 keV ¹²⁶Te⁺ to a dose of 2×10¹⁵ ions/cm²,after a PLM process（248 nm,laser fluence of 0.30 and 0.35 J/cm²,1-5 pulses,duration 30 ns）,an n⁺ type single crystalline tellurium supersaturated silicon layer with high carrier density(highest concentration 4.10×10¹⁹ cm^-3,three orders of magnitude larger than the solid solution limit) was formed,it shows high broadband optical absorption from 400 to 2500 nm.Current-voltage measurements were performed on these diodes under dark and one standard sun（AM 1.5）,and good rectification characteristics were observed.For present results,the samples with 4-5 pulses PLM are best.     

用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器件的研究

设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565nm附近,边模抑制比大于30dB.当大于阈值且相差大于20mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13～42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法.     

单片集成电吸收调制分布反馈激光器

提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20mA,工作电流为100mA时的出光功率为10mw,由吸收调制器(EAM)加-3V偏压时的消光比为12dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用...     

半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成

报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.