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通过低温还原,以Si2OCl6为原料,以Na溶液为还原剂,在液氨溶液中成功合成了纳米非晶态Si2N2O粉末.在不加任何烧结助剂的条件下,通过放电等离子体烧结,得到了致密的陶瓷块体.制得的纳米非晶粉末颗粒尺寸约为20 nm,XRD结果显示样品在1 100 ℃开始晶化.进一步考察了不同烧结温度下陶瓷的抗氧化性和力学性能,致密块体在1 600 ℃下经过20 h氧化后,其增重仅有1.1 %,烧结块体的力学性能随着烧结温度的增加而迅速增加,当烧结温度高于1 500 ℃时,继续增加烧结温度力学性能的增加趋势变得平缓. 1 500 ℃烧结样品的维氏硬度、强度和断裂韧性分别达到了19.6 GPa, 440 MPa和4.1 MPa·m1/2. 相似文献
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以TiC和TiO_2为原料在900℃烧结得到了与USTB钛电解工艺所用阳极原料类似的Ti-C-O固溶体,并对该固溶体在750℃NaCl-KCl熔盐体系中的电化学行为进行了研究。结果显示,该固溶体可以发生电化学溶解,钛元素以离子的形式进入熔盐中,碳元素和氧元素则以CO为主、CO_2为辅的气体形式析出。以该固溶体为阳极进行恒电流电解,最终在阴极得到了金属钛。 相似文献
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采用密度泛函理论广义梯度近似平面波赝势法结合周期平板模型,研究F离子在γ-Al_2O_3(110)非极性表面的吸附行为,分析了F~-离子在其表面不同吸附位以及不同覆盖度下吸附构型和电子特性。结果表明:表面配位不饱和的Al为F~-离子活性吸附位,F离子在γ-Al_2O_3(110)表面化学吸附后形成F-Al键促使F~-离子活化;F~-离子在Al_Ⅲ(1)桥位吸附时最稳定。随着覆盖度增加,吸附能增大,F离子与表层原子的距离(d_(F~--surf)缩短:同时表面吸附F离子引起表层及次表层原子层间距发生不同程度偏移,最大幅度为10.07%。差分电荷密度与电子态密度分析指出,F离子在γ-Al_2O_3(110)表面吸附主要是由F~-离子2s和2p轨道与γ-Al_2O_3基底Al的3p轨道相互作用所致。 相似文献
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醇盐水解法制备TiN包覆SiC复合粉末 总被引:1,自引:0,他引:1
以醇盐水解氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,研究TiO2前躯体的种类、醇盐水解方式和加水量对水解反应生成的TiO2颗粒的粒径和分散性的影响,分析TiO2包覆层在不同氮化温度下的结构演变,重点对醇盐水解氨气氮化反应的机理和TiN包覆层的形貌、物相组成和热稳定性进行讨论。结果表明:醇水溶液加热法比沉淀法更容易获得均匀连续的TiO2包覆层,加水量是有效减少TiO2团聚颗粒的关键因素。TiO2包覆层在1 000℃于氨气中进行氮化能够完全转变为TiN,所得的TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~70 nm。在温度高于546℃时,TiN包覆层在空气气氛中容易发生氧化而导致稳定性降低。 相似文献
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Niobium-doped indium tin oxide (ITO:Nb) thin films are prepared on glass substrates with various film thicknesses by radio frequency (RF) magnetron sputtering from one piece of ceramic target material. The effects of thickness (60-360 nm) on the structural, electrical and optical properties of ITO: Nb films are investigated by means of X-ray diffraction (XRD), ultraviolet (UV)-visible spectroscopy, and electrical measurements. XRD patterns show the highly oriented (400) direction. The lowest resistivity of the films without any heat treatment is 3.1×10-4 Ω·cm-1, and the resistivity decreases with the increase of substrate temperature. The highest Hall mobility and carrier concentration are 17.6 N·S and 1.36×1021 cm-3, respectively. Band gap energy of the films depends on substrate temperature, which varies from 3.48 eV to 3.62 eV. 相似文献
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