基于ABC-BP的土壤侵蚀量预报模型研究北大核心

以预测土壤冲刷量为目标,根据《中国河流泥沙公报》数据资料,建立了以土壤类型、地形、坡度、植被、降雨为输入因子,土壤侵蚀量为输出因子,拓扑结构为5-7-1的BP神经网络预测模型。针对BP神经网络模型缺陷,采用了人工蜂群算法(ABC)对BP神经网络的权值和阈值进行优化,建立了ABC-BP模型,并对该模型的性能进行了验证。结果表明,所建立的ABC-BP土壤侵蚀量预报模型模拟值与实测值的相关系数、平均相对误差分别为0.994 2和4.13%,两者之间无显著的统计学差异,具有较好的一致性和较高的模拟精度。     

某城市排土场边坡三维稳定性分析

针对湖南某城市排土场在强降雨作用下可能诱发地质灾害的问题,设计了4种降雨类型,利用ANSYS软件建模功能,生成排土场稳定性计算模型。利用ABAQUS有限元分析软件进行了非饱和土流固耦合分析,将4种类型的降雨分别施加在排土场上,同时考虑土体的渗透系数受土的孔隙比和含水率的影响。通过监测有限元模型特征部位位移是否发生突增及塑形变形区是否贯通来判断排土场是否发生破坏,以数值计算是否收敛求解排土场的稳定性系数。分析结果表明:若当地降雨强度大于30.72 mm/h且持续时间超过30min时,排土场就有发生滑坡危险的可能,需要提前做好灾害评估和险情预防工作。     

空冷变频控制的改造

以庆阳石化重整装置预加氢产物空冷器机组为例,在传统的满负荷手动控制基础上,应用DCS的PID控制方法和变频器对空冷器进行改造,达到提高控制精度和节能降耗的目的。     

IC硅片超精密背磨用树脂2000#金刚石砂轮研究

树脂金刚石砂轮应用于IC硅片的背面减薄磨削(背磨),工件磨削后能达到纳米级粗糙度、微米级损伤层厚度和微米级面型精度,因此对使用的砂轮性能要求很高。文章介绍了金刚石砂轮背磨技术的原理、特点,对硅片超精密背磨砂轮进行了实验研究。研制了专用的树脂结合剂,通过优化结合剂配方,使结合剂磨损速度与金刚石脱落速度达到匹配。研制的2000#金刚石砂轮经过硅片背磨试验证明,材料去除率达到10.236 mm3/s,表面粗糙度值Ra为5.122nm,损伤层厚度为2.5μm;与国外同类砂轮相比,材料去除率提高53%,硅片磨削后的表面粗糙度值接近。     

水平井维修的打捞技术探讨

水平井的出现不仅能够有效地提高了储量动用率，提高了单并产量，而且降低了开采成本，逐步代替直井成为油气田企业重要开发方式之一。近年来随着水平井的作用日益凸显，水平井开井也逐渐增多，同时生产时间也逐渐延长，导致了水平井修井的工作逐年增大。本文首先从水平井的相关知识人手，介绍了水平井及其特点，然后介绍了打捞的一些技术支持，最后得出系统性结论。     

同时考虑处理系统误差和粗差剔除的控制网平差

本文讨论的控制网平 差模型同时考虑控制网观测值中的偶然误差、系统误差及粗差。对常规的三种平差模式即基于偶然误差、基于偶然误差－系统误差、基于偶然误差－粗差所建立的平差模型有所突破和扩展。其基本思想是先用稳健估计剔除含有粗差的观测值，再对未被剔除的观测值进行系统误差处理，最后得到最小二乘最优解。     

发动机曲轴非接触式自动检测系统的研制

针对传统曲轴检测方法的费时、费力、误差大等缺点,研制了基于CCD的非接触式曲轴自动检测系统。该系统通过CCD采集曲轴的图像信息并生成DIB位图。通过对DIB图像处理技术的研究以及对图像边缘提取、直线拟合等算法的实现,最终测量出曲轴外形的几何尺寸。     

五星形桩与圆桩水平承载性能对比模型试验研究

五星形桩是一种横截面异形桩,是在圆桩的基础上向内切割5个圆弧,形成截面类似五星形的异形桩。按其截面性质分为周长最大化五星形桩F1、周长面积比最大化五星形桩F_2两种桩型,为掌握五星形桩的水平承载性能进行了与圆桩的对比模型试验研究。试验用土为干砂,砂雨法土样制作,模型桩为预制钢筋混凝土桩,相似比为1∶8。模型试验桩包括:五星形桩F1、五星形桩F_2、与五星形桩F_2截面周长相同的圆桩C1、与五星形桩F_2截面面积相同的圆桩C_2。由于五星形桩水平承载性能具有方向性,试验采用理论计算中水平承载力最大的方向施加水平荷载,试验结果表明:F1、C1和F_2的水平极限承载力相当,但F_2的截面面积最小,仅为C1的0.44倍;与C_2相比,F_2的水平极限承载力是其1.63倍,可见,合理截面形式的五星形桩可以提供更大的水平承载能力;五星形桩与圆桩弯矩分布规律基本一致,都在4倍直径左右(五星形桩为外接圆直径)达到最大,但五星形桩截面面积小,抗弯刚度不足,容易折断,总体水平承载性能不及截面周长相同的圆形桩,但优于截面面积相同的圆形桩。     

大功率GaN基LED芯片及其制备研究

本研究针对110Gan交流高压芯片进行设计,阐述具体工艺并通过近场光型与I-U-L曲线表明,该芯片光电性能较好,同时通过两并两串将其在陶瓷支架中封装,利用限流电阻组件灯具,比较灯具的稳态和初态参数。