氮气保护下炼化企业停用装置的腐蚀行为研究

模拟停工装置内潮湿环境,对20号钢、16MnR、Cr5Mo和304不锈钢等4种典型材质,在氮气置换保护条件下的腐蚀进行试验,考察了不同氧含量对4种材质腐蚀的影响。利用挂片失重法、3D腐蚀轮廓仪和XRD等手段对腐蚀试样进行了腐蚀速率分析、腐蚀形貌观察和腐蚀产物组成分析。结果表明：气相潮湿环境下,随着氧含量的增加,碳钢腐蚀速率先降低后平稳增加,Cr5Mo和304不锈钢的腐蚀速率均稳定保持在较低的水平;液相环境下,当氧体积分数大于1.0%时碳钢和铬钼钢腐蚀速率有升高的趋势;氧体积分数0.5%~1.0%时各材质在气液两种环境下的腐蚀速率相差不大;碳钢和铬钼钢的宏观形貌基本一致,腐蚀产物主要是疏松的γ-FeOOH和致密的Fe3O4,金属基体腐蚀表现为蚀坑和溃疡状腐蚀;304不锈钢未见明显腐蚀,仍保持金属光泽。选取某企业停工装置的典型部位进行了周期114天的现场挂片实验,结果表明,在氧体积分数0.5%的情况下,各部位停工保护效果良好。     

热电耦合微执行器温度分布的节点分析法

MEMS系统设计的节点分析法已经被成功地用于机械或机电耦合器件的仿真,但其无法用于热执行器中热-电耦合问题的分析仿真.本文提出一种通过傅里叶变换使用节点分析法动态分析仿真热执行器中热电耦合问题的方法,并建立了热执行器中基本单元--梁单元的热电耦合模型.这种模型的分析计算结果与有限元软件ANSYS吻合较好.     

正交多载波调制(OFDM)技术及其应用

本文首先介绍了正交多载波调制（OFDM）技术适用于高速数据传输的原理,着重讨论了OFDM基于FFT算法在基带实现多载波调制的原理和OFDM中的同步问题,最后对OFDM在宽带无线数据传输中的应用作了初步展望。     

悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证

针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构，采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下，用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟，得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线；最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。     

5-(4'-羟基苯基)-10,15,20-三(4'-三甲硅基苯基)卟啉的合成

以4-羟基苯甲醛、4-三甲硅基苯甲醛、吡咯(物质的量比1∶3∶4)为原料,借鉴Lindsey方法合成了5-(4'-羟基苯基)-10,15,20-三(4'-三甲硅基苯基)卟啉。研究了提纯该化合物的手段,最终得到了分离效果好的分离方法。其结构由1HNMR、质谱、紫外等表征。     

IPv6环境下的入侵检测系统模型设计

IPv6将作为下一代Internet的网络协议，对信息安全提出了新的挑战，入侵检测技术也需要进一步发展。针对此提出了IPv6环境下入侵检测系统模型(IDSMIPv6)。探讨了流量分析、网络阻断、灾难恢复、IP追踪、快速捕包和高速地址匹配等关键技术，并利用协同技术，实现了各个模块的总体控制。依据此系统模型构建的IPv6环境下的入侵检测系统软件在实践中得到了良好的验证。     

栅对准误差对双栅MO SFET 性能影响的分析

对栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件，它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点，但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅MOSFET的正、背面栅存在对准误差时，对器件的表态及动态特性的影响，并提出了一种改善这种影响的方法。     

高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声

在深入研究SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC的研究,建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型,实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性.该研究为边界陷阱动力学和此类器件可靠性提供了新的研究手段.     

SU-8胶曝光衍射效应的模拟及丙三醇补偿方法

基于SU-8胶的UV-LIGA技术是MEMS中制备高深宽比结构的一种重要方法,但由于衍射效应会使结构的侧壁不再垂直.根据菲涅耳衍射模型,考虑了丙三醇/SU-8界面的反射和折射现象,模拟了丙三醇填充在掩膜版和光刻胶之间时的刻蚀图形.计算结果与已有的实验进行了比较,模型基本可以描述这种光刻过程,可在设计时作为参考.     

GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.