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采用传输矩阵方法(TMM)对具有不同腔面反射率的半导体激光放大器的特性进行了分析。在相同的注入水平下镀膜后峰值增益波长会产生几十纳米的蓝移。讨论了沿腔面均匀注入和非均匀注入时的增益特性,输出功率较小时没有增益饱和效应,两种条件下增益差别不大;当要求输出功率大时,非均匀注入将优于均匀注入。 相似文献
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一、引言 回顾光纤通信的发展历史,光电器件对光信息技术的发展起了制约性的作用,因而光电器件一定要超前发展。在“巴统”没有解除前,我国光电器件的发展速度是较慢的,国内的光纤通信速度一般都限于565Mb/s以下。“巴统”解除后,研究光通信系统的人可以在世界范 相似文献
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通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5~ 85℃ )≤ 1 0dB。 相似文献
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本文报道了采用全MOCVD生长的1.55μm单片集成DFB-LD/EA组件的制作和在DWDM系统上的传输测试结果,该发射模块在2.5Gbit/s DWDM系统上进行传输试验,传输240km后无误码,其通道代价≤1dB,BER=10^-12。 相似文献
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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB. 相似文献