脉冲磁控溅射沉积微晶硅薄膜工艺研究

采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和测试,研究了衬底温度、氢气稀释浓度和溅射功率对硅薄膜结构和性能的影响。结果表明:在一定范围内,通过控制合适的衬底温度、增大氢气稀释浓度及提高溅射功率,可以制备高质量的微晶硅薄膜。在衬底温度为400℃、氢气稀释浓度为90%及溅射功率为180W的条件下制备的微晶硅薄膜,其晶化率为72.2%,沉积速率为0.48nm/s。     

超低温(<900℃)烧成的陶瓷配方研究

研制了一种以废玻璃和熟矾土为主要原料,烧结温度范围在８５０～９００℃的超低温陶瓷配方,并探讨了其成瓷机理、工艺关键及应用范围,阐述了开发低温陶瓷的意义。     

利用VB开发MIS系统

Visual Basic(简称VB)作为一种面向对象的可视化设计工具,越来越广泛地用于开发MIS系统,一大批风络各异和丰富多彩的MIS系统在VB开发平台上应运而生。这些系统精美的用户界面,简单方便的操作方式,特别是极其强大的数据库功能(如记录操作、查询、统计、检索和排序等),丰富的表格和图形输出,所见即所得的精美报表打印,无不证明VB是开发MIS系统的最佳选择工具。下面阐述利用VB开发MIS系统的方法。     

炭纤维作宿主的FeCl3—AlCl3—GIC的制备及其电学性质的研究

采用混合熔融盐法,在同一反应体系中同时合成了分别以天然鳞片石黑和炭纤维作宿主,以ＦｅＣｌ３和ＡｌＣｌ３为插层剂的ＧＩＣ。考察了反应温度以及碳与金属氯化物的摩尔比对插层后炭纤维电导率的影响,并通过插层后天然鳞片石墨的阶结构分析,对炭纤维插层后电导率变化的原因进行了初步探讨,实验结果表明：在Ｃ：ＦｅＣｌ３：ＡｌＣｌ３＝２．７：１：１、反应温度为３５０℃和反应时间为３ｈ的插层反应条件下,得到的炭纤维的电     

现代注塑企业车间管理系统——“Chief MES”

本文主要是介绍现代信息化的管理(即Chief MES)在注塑生产中的实际应用,它能提高企业对生产全过程的监督和控制能力,提高企业生产效率,最大限度地帮助企业有效利用现有生产资源,对企业做到精细化管理,增加注塑企业的竞争力。     

在VB中使用数据控件和数据访问对象

比较VB3.0标准版和专业版,我们不难发现,在标准版中,只有通过数据控件才能访问数据库,尽管数据控件可用于完成大量的数据库管理任务,但是其功能仍显示出局限性。而专业版则提供了对数据库访问更强有力的支持,它不仅可以通过数据控件和数据库对象访问数据库,而且为数据控件增添了大量的新特征,使之能更灵活高效地处理复杂的数据库访问操作。本文将对这些新特征进行说明,并结合数据库访问对象讨论它们在数据库访问中的应用。     

热丝CVD法金刚石薄膜宏观内应力分析

研究了热丝ＣＶＤ法金刚石薄膜本征内应力随甲烷的体积分数（０４％～１２％）、生长温度（８００℃～１０００℃）等生长工艺参数的变化关系。在所研究的工艺参数范围内，金刚石薄膜的本征内应力为拉应力。拉应力值随着碳源浓度的升高近乎呈线性减小；在生长温度为９００℃时最小，升高或降低生长温度都会增大。这一变化关系可用薄膜中非金刚石碳含量和晶粒度大小对内应力值的影响进行解释。     

Fe85Hf787Cu1非晶合金的非等温晶化动力学

利用非等温方法研究了Fe15Hf7B4Cu1非晶合金的晶化过程,晶化过程分两步进行,并利用修正的Kissinger方程计算了晶化动力学参数.第一个晶化过程是±-Fe的形成过程,其激活能为299±10kJ/tool,Avrami指数为1.3,是以预先形核的核心为基础的三维扩散控制生长方式为主;第二个晶化过程为残余非晶中Fe3B的形成过程,其激活能为423±12kJ/mol,Avrami指数为3.1,是以形核率逐渐减小的界面控制生长方式为主.     

W-Cu薄膜沉积初期亚稳态固溶体形成机制

采用直流双靶磁控溅射共沉积的方法制备了W含量为75%(原子分数)的W-Cu薄膜,并通过EDS、XRD、SEM、TEM等对W-Cu薄膜沉积初期的微观形貌及组织结构进行了表征和分析。结果表明,沉积初期,随着沉积时间延长,W-Cu薄膜有逐渐晶化的趋势,并形成了W(Cu)基亚稳态固溶体,且Cu在W中的固溶度逐渐增加。沉积10s时薄膜呈长程无序、短程有序的非晶态,局部有由于靶材粒子扩散不充分而形成的小于5nm的W、Cu纳米晶;20s时局部纳米晶消失但晶化程度升高;30s时晶化显著。沉积初期W-Cu薄膜随沉积时间延长逐渐晶化的原因是沉积过程中高能量的原子或原子团与已沉积的原子碰撞,传递能量,促进原子进一步扩散,克服了薄膜的晶化形成能,从而形成了亚稳态的W(Cu)固溶体。