注C~+外延硅的光致发光特性

在N型外延硅中注入C+并经高温退火形成了Si C沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在2 6 0 nm光激发下获得了340 nm和4 30 nm的紫外和紫光峰,它们的单色性很好,半高宽(FWHM)约为10 nm.在以上条件下Si C沉积并未多孔化,认为340 nm和4 30 nm峰可能源于样品中的C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心.讨论了各种发光中心形成的可能条件,并对实验结果做出了初步解释.     

Activation Energy for Decomposition of Complexes Donor in NTD FZ(H) Silicon

ＡｃｔｉｖａｔｉｏｎＥｎｅｒｇｙｆｏｒＤｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＣｏｍｐｌｅｘｅｓＤｏｎｏｒｉｎＮＴＤＦＺ（Ｈ）ＳｉｌｉｃｏｎＬｉＨｕａｉｘｉａｎｇ；ＣｈｅｎＹａｎｓｈｅｎｇ；ＬｉｕＧｕｉｒｏｎｇａｎｄＤｕａｎＳｈｕｚｈｅｎ（李怀祥）（陈燕生）（...     

多孔硅-酶复合电极对葡萄糖溶液的电化学检测

多孔硅（PS）具有纳米级尺寸,高的表面积比和生物兼容性为固定生物分子提供了有利的条件。文章采用光电化学腐蚀的方法制备出多孔硅,并将3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTS）共价结合到多孔硅表面实现其生物功能化。通过戊二醛（Gluta）交联的方式将葡萄糖氧化酶（GOD）固定到生物功能化多孔硅上,形成GOD-Gluta-APTS-PS复合结构并用作电化学测量的工作电极。铂金和饱和甘汞电极分别作辅助电极和参比电极。通过测量还原电流对数与电极电势的关系以及计时电流曲线,对10×10^-6-55×10^-6mol dm^-3浓度范围的葡萄糖水溶液进行测量分析,发现还原电流与葡萄糖溶液在一定范围内有线性响应关系。制成的多孔硅酶复合电极间隔5天重复使用1次,20天内性能能保持基本不变。     

多孔硅甲苯悬浮体系电泳沉积的研究

用电阻率为 80～ 10 0Ω· cm的 n型硅基底制备了多孔硅 (PS) ,将其用超声波振荡的方法分散到甲苯中制成稳定的悬浮体系。发现该体系中的多孔硅微粒可以在电场下作定向的电泳迁移 ,在正极上形成良好的沉积层。实验发现甲苯悬浮体系的荧光强度与浓度成良好的线性的关系 ,并测定了电泳沉积过程中甲苯分散体系的荧光强度与电泳沉积时间和外加电场强度的关系。用扫描电镜 (SEM)对不同条件下得到的多孔硅沉积层及原生多孔硅作了形貌观察比较。用 X光电子能谱 (XPS)和红外透射光谱对原生多孔硅和多孔硅沉积层进行了成分分析。研究表明 ,多孔硅的电泳沉积可以用于微粒的可控组装方法。     

KCl对Rin-NPsAg体系中Ri分子光谱行为的影响

核黄素(Riboflavin,Ri)与纳米银(Nanosilver particals,NPsAg)均匀混合形成(Ri)n-纳米银复合体系(Rin-NPsAg体系).运用透射电镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱研究了电解质KCl对Rin-NPsAg体系中Ri分子光谱行为的影响.Ri与纳米银混合后,Ri分子的吸收增强、峰位移动,发生荧光猝灭;加入KCl后,Ri分子吸收峰位逐渐移向原位,吸收强度整体减弱,荧光增强,直至达到定值.这是因为:KCl能够使纳米银团聚与聚沉,粒径增大,浓度减小,改变了纳米银显微结构与Ri分子的作用关系;KCl对Rin-NPsAg体系中Ri分子光谱的影响主要是通过改变纳米银的结构、粒径、浓度及纳米银与Ri分子的距离实现的.     

不同阴离子铕盐掺杂Sb-SnO2/Ti电极的催化性能

利用热分解法制备了EuBr3、Eu(NO3)3、EuCl3、Eu(ClO4)3、Eu(AC)3掺杂Sb-SnO2/Ti电极,通过对乙醇氧化和对模拟废水（甲基橙、亚甲基蓝）的降解,研究电极的电催化性能。通过循环伏安法,X射线衍射（XRD）仪,扫描电子显微镜（SEM）,X射线光电子能谱（XPS）等对电极进行了表征。结果表明,不同Eu盐掺杂Sb-SnO2/Ti电极对不同体系表现出不同催化性能。Eu(ClO4)3掺杂电极对降解甲基橙有最好的效果,EuCl3掺杂对降解亚甲基蓝表现最佳,而对于电催化氧化乙醇体系,Eu(NO3)3掺杂电极表现出了最高的催化活性     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.     

纳米银与核黄素相互作用的光谱分析

制备了纳米颗粒的银溶胶,研究了核黄素水溶液中加入纳米银后荧光光谱和吸收光谱的变化.纳米银可以使核黄素的荧光发生猝灭,它们之间的相互作用属于静态猝灭机制,求出了猝灭常数Ksv=1.04×104L/mol,Kq=1.5×1013L·mol-1·s-1.纳米银对核黄素荧光的这种静态猝灭引起吸收光谱发生变化,随着纳米银浓度的增...     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

Y2O2S：Eu^3＋红色荧光粉的SnO2：Sb包覆研究

采用硫融法合成了Y2O2S：Eu^3＋红色荧光粉。用溶胶-凝胶法在其表面包覆了一层SnO2：Sb透明导电薄膜。通过x射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、荧光光谱（PL）和电阻测量等检测手段分别分析了包覆处理对Y2O2S：Eu^3＋的晶体结构、表面形貌、荧光性质以及荧光粉导电性的影响。结果表明：通过该方法成功地在Y2O2S：Eu^3＋表面包覆了一层连续的SnO2：Sb薄膜;当包覆量nSoO2/nY2O2S=6％时,所得到的荧光粉同时具有较高的荧光强度和导电性;当掺杂量DSb/nSn=10％,退火温度为500℃（氧气流中退火1h）时,可以得到导电性较好的荧光粉。