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我国将特殊医学用途配方食品(特医食品)定义为“为了满足进食受限、消化吸收障碍、代谢紊乱或特定疾病状态人群对营养素或膳食的特殊需要,专门加工配制而成的配方食品”。我国特医食品的发展起步较晚,自2015年修订的《中华人民共和国食品安全法》将特医食品正式纳入法制管理的轨道以来,特医食品的监管逐渐完善,获准注册的产品也逐渐增加。本文对我国特医食品相关法规标准与监管要求,以及获准注册产品的基本情况进行简要介绍,并提出若干建议,为相关人员和感兴趣的读者提供参考。 相似文献
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经典多级结构的数字抽取滤波器占用系统大量的功耗与面积资源,文章设计的改进型64倍降采样数字抽取滤波器采用由级联积分梳状滤波器、补偿FIR滤波器和半带滤波器组成,在保持Σ-ΔADC转换精度的约束下,实现了最大程度降低系统功耗与面积的设计目标。在多级级联积分梳状(CIC)滤波器的设计中,充分运用置换原则以优化各级级数并采用非递归结构实现方式,同时将多相结构运用到补偿滤波器与半带滤波器中,获得电路功耗与面积的明显降低。将Σ-Δ调制器输出信号作为测试激励,通过Matlab系统仿真、FPGA验证与FFT信号分析,得到的输出数据信噪比达到15bit有效位数精度,且系统速度满足要求。 相似文献
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透明质酸(HA)作为广泛存在于人体的天然物质,具备多种生理调节作用,常以结构更稳定的钠盐形式存在,即透明质酸钠(SH)。目前HA在国外食品领域已得到了广泛应用,日本、美国、欧盟等多个国家/地区允许在普通食品中添加HA;韩国批准HA添加至健康食品和饮料中。中国于2008年批准HA(SH形式)作为保健食品原料,2020年12月将其使用范围扩大至普通食品。本文对作为食品原料的HA的产品特点、口服功效及其在国内外的管理批准情况、适用范围、功能声称、安全限量及生产工艺进行概述,了解其适用性和潜在市场需求。同时对相关法规管理及批准使用现状进行梳理分析,以期为HA相关食品的研发、监管、消费等提供系统参考,促进食品行业对HA的合理利用和发展。 相似文献
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液流电池图形用户界面(graphic user interface, GUI)整合了电池堆内部电流分布、流体阻力、稳态自然对流散热、结构封装压力和螺柱选型。基本满足研发人员独立进行多学科计算的要求,能初步评估一款电池堆的性能。多分堆构型液流电池堆的等效电路图采用网格法进行简化,并结合基尔霍夫电压定律求解恒流运行时的循环电流,并进一步计算出堆内逐节电池的实际通过电流、板框流道内的旁路电流,以及堆内主通道内汇总的旁路电流。电池堆流体阻力受板框流道设计、外接管路、电极参数和液位落差影响。矩形流道的达西摩擦系数采用经验方程计算,可将湍流阻力计算误差控制到10%,层流阻力计算误差极低,局部阻力系数采用达西3K参数式估算。电极流阻受电解液流经长度、电极渗透率和电解液黏度的影响。由于渗透率公式的计算结果偏离实验测量值较大,所以界面设定为实测值输入。电池堆按照有保温和无保温考虑在集装箱内的自然对流稳态散热,需要的输入参数包括电池堆的几何尺寸、保温层厚度、环境温度和堆内温度。封装力计算所用的单电池结构是板框配合内嵌盖板的形式。力主要用于找平板材翘曲、将密封垫压入密封槽、抵消内部液体压力和材料热膨胀,再以... 相似文献
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金触海啸席卷全球,并没有阻碍企业的并呐重组步伐,却为有实力的企业提供了低成本的并购机会.文化整合难度大已成为中国企业海外并购失败的首要原因.企业海外并购的经验和教训表明,被并购企业对并购方的能力认同、经营理念尊重与愿景沟通共同决定了文化整合的难度.中国企业对企业文化的理解有待加深.面对重重障碍,我们要并购前了解收购方与被收购方潜在的文化差异和冲突,进行定性和定量分析,确定冲突、风险的大小,尽可能包容文化差异,强调双方文化的共性,把提高被并购企业对其的风格认同作为其文化整合的重点,确立目标管理变革体系,步步为营,注重过渡阶段的培训,取得海外战役的胜利. 相似文献
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采用超声波辅助双酶法与碱法提取米糠蛋白,分别测定米糠蛋白的功能特性,并对米糠蛋白进行十二烷基硫酸钠-聚丙烯酰胺电泳分析(SDS-PAGE)、氨基酸分析和热变性分析。结果表明:利用超声波辅助双酶法提取的米糠蛋白其功能特性较碱法提取的米糠蛋白有所改善。碱法提取的米糠蛋白分子质量分布大概在65.46、46.77、33.42、23.66、13.09、8.07 ku和2 ku,超声波辅助双酶法提取的米糠蛋白的分子质量分布主要集中在2 ku。从超声波辅助双酶法提取的米糠蛋白和碱法提取的米糠蛋白中均分离出17种氨基酸,两者氨基酸组成一致,主要氨基酸均为谷氨酸、天门冬氨酸和精氨酸,但各氨基酸含量有一定的差别。经差式扫描量热法测得超声波辅助双酶法提取的米糠蛋白热变性温度为75.83℃,碱法提取的米糠蛋白热变性温度为76.75℃。 相似文献
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碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm-2,基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm-2。 相似文献