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101.
陈霞  李晨辉 《硬质合金》2009,26(2):106-109
采用XRD线形分析(双Voigt函数)法对球磨行星96h的TiC粉和纳米TiC粉中的镶嵌尺寸和晶格畸变进行了对比分析和表征,并采用TEM法印证。研究结果表明,球磨粉的平均镶嵌尺寸大约为纳米粉的40%,而球磨粉的平均晶格畸变大约为纳米粉的5倍。TEM的分析结果与XRD表征结果相吻合。  相似文献   
102.
通过Zeta电位、粘度、沉降等测试,研究了添加剂含量、pH值、固含量和球磨时间对ZnO-Al2O3混合粉体水基悬浮液的稳定性、流动性等的影响.实验结果表明:当pH值为9左右,聚丙烯酸添加质量分数为0.20%时,悬浮液粘度最低、稳定性最好.可制得固相体积分数55%的悬浮液.聚乙二醇添加量的增加,使悬浮液粘度增大、稳定性下降.该实验条件下,球磨时间以40h为佳.  相似文献   
103.
包许  李晨辉  徐珺  吴玉林 《金属学报》2012,17(9):1001-1006
目的 研究川阿格雷钠(MC-002)对大鼠胸主动脉的舒张作用,并探讨其可能的作用机制。方法 测定川阿格雷钠对去甲肾上腺素(NE)和高钾预收缩的大鼠胸主动脉血管环的舒张作用,并观察L-硝基精氨酸甲酯(L-NAME)、亚甲蓝、吲哚美辛、格列本脲、蜂毒明肽、氯化钡和4-氨基吡啶对其作用的影响。结果 川阿格雷钠(3~300 μmol/L)能浓度依赖性地舒张NE预收缩的完整血管环,去内皮、亚甲蓝孵育和吲哚美辛孵育均能显著抑制其舒血管作用(P<0.05,P<0.01),L-NAME孵育无显著影响。川阿格雷钠拮抗高钾诱导完整血管环收缩的作用被格列本脲(ATP敏感型钾通道KATP抑制剂)和蜂毒明肽(小传导性钙激活型钾通道SKCa抑制剂)显著降低(P<0.01),氯化钡和4-氨基吡啶无显著影响。川阿格雷钠使NE预收缩的血管平滑肌的钙浓度-收缩曲线下移、右移,且呈现浓度依赖性。结论 川阿格雷钠可能通过内皮细胞的鸟苷酸环化酶途径和环氧合酶途径、开放KATP和SKCa引起平滑肌细胞膜超极化以及减少钙内流而松弛血管。  相似文献   
104.
数字证书是以网络为平台的各种应用的重要安全基础,证书签发是网络应用安全机制的开始和核心工作之一。证书签发的自动化受限于网络服务中间件和安全中间件的部署、衔接和兼容,目前还没有非常完善的证书自动化签发技术框架。本文以OpenSSL中的证书自动化签发为例,提出了一种证书自动签发的技术框架,基于Expect语言设计了一个证书自动化签发的原型,进行了验证性相关实验。  相似文献   
105.
针对实际球罐作业中工作效率低、工作环境差等问题,提出一种用于球罐内壁作业的双足式爬壁机器人机构。该机构采用并联机构构成腿机构,丝杠滑块驱动,可实现越障、沿壁面匀速运动、转弯等,适用于较大内径范围的球罐作业。介绍了并联式爬壁机器人机构构成及工作原理,阐述了爬壁机器人前进和转弯过程的运动实现,建立了运动学数学模型,得出其位置、速度及加速度的运动学逆解解析形式,为机构设计、控制提供了理论工具。  相似文献   
106.
本文选用650℃条件下真空合成的Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相合金粉末,通过放电等离子体烧结法制备了CIGS合金靶材,研究了烧结温度、保温时间以及烧结压强等工艺参数对CIGS四元合金靶材的结构与性能的影响,研究表明:烧结温度为500℃以上时,靶材为单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒尺寸增大,致密度和电阻率基本呈线性升高;随着保温时间的延长,靶材晶粒尺寸随之增大,致密度和电阻率也随之升高;随着烧结压强的提高,靶材的致密度增加,而且电阻率得到下降。综上所述,烧结温度为600℃,压强为30MPa,保温时间为5min的工艺条件下,制备靶材的电阻率50Ω?cm,致密度为98%以上。  相似文献   
107.
文章以某陶瓷厂卫浴生产线中青坯装卸车机械手为研究对象,搭建了以三菱高性能Q02H PLC、定位模块QD75M4、通讯模块QJ71C24N及E-view触摸屏为核心的控制系统硬件构架。在机械手运动路径规划基础上,优化了示教数据,利用三菱PLC编程软件GX-Developer、伺服控制软件GX-Configurator-QP及触摸屏软件EV5000_V1.5联合开发了机械手软件控制系统,并根据机械手实际运行状态,合理设置伺服增益参数,实践证明该机械手示教方便、运行稳定、减轻了劳动强度并提高了生产效率。  相似文献   
108.
介绍了制备GZO薄膜的各种方法,如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法;阐述了这些方法的镀膜原理,并比较了各种工艺的优缺点。综述了GZO薄膜在单层膜领域、复合多层膜领域有机物基底上镀膜领域和薄膜后续退火处理领域的研究现状。提出了产业化过程中需要解决的问题:①制备高密度、高溅射稳定性和导电性优良的靶材;②完善现有镀膜工艺条件;③制备符合不同生产要求的薄膜。  相似文献   
109.
以AlN粉末为原料、Y2O3粉末为烧结助剂,分别在氮气气氛下和真空气氛下,采用放电等离子烧结方法在1700℃、25MPa条件下保温10min制备AIN陶瓷。X-射线衍射、扫描电镜和X-射线光电子能谱分析表明:不同烧结气氛下制备的AlN陶瓷的结构和体积电阻率各有不同。真空气氛AlN陶瓷与氮气气氛AlN陶瓷相比较,除舍有主晶相AlN和第二相Y3Al5O12外,还含有微量Al2Y相。正是由于微量Al2Y相的存在,使得真空气氛下得到的AlN陶瓷比氮气气氛下得到的A1N陶瓷的体积电阻率低约2个数量级。  相似文献   
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