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本文采用阴极电弧离子镀技术制备了ZrN膜层,研究了工作气压、偏压、弧流等工艺参数对ZrN膜层表面形貌和结构的影响,分别用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析了膜层的表面形貌及相结构。结果表明:工作气压、偏压、弧电流等工艺参数对ZrN膜层的表面形貌有较大的影响,在本实验内适当提高N2压强、偏压以及在稳弧前提下降低弧流有利于减少大颗粒,改善ZrN膜层表面形貌,提高膜层综合性能;不同工艺参数下制备的ZrN膜层均具有典型的面心立方结构,工作气压和弧电流对ZrN膜层晶体生长方向的影响较小,偏压对晶体生长方向的影响显著,在20 V偏压下,晶体呈(200)面择优取向,继续提高偏压(100 V~300 V),晶体生长呈(111)面择优取向。 相似文献
12.
采用离子源技术制备掺钨类金刚石薄膜(W-DLC),为系统地探究各工艺参数对薄膜硬度的影响,设计了L9(34)正交试验方案,同时结合正交分析效应曲线分别研究了C2H2流量、离子源电流、基体负偏压、钨靶电流对薄膜硬度的影响.结果表明:基体负偏压对薄膜硬度影响最大,其次为C2H2流量和离子源电流,钨靶电流的影响最小;薄膜硬度随C2H2流量的增大整体呈上升趋势,随离子源电流及偏压的增加而增加,随钨靶电流的增加而减小;工艺参数组合优选为C2H2流量100mL/min、离子源电流8A、负偏压100V、钨靶电流4A.该研究为后续进一步优化工艺,制备高性能类金刚石薄膜提供了重要的理论依据. 相似文献