基于Broyden族校正的电容层析成像图像重建算法

为解决电容层析成像(ECT)图像重建中的"软场"效应和典型的病态问题,提出了一种采用Broyden族校正算法对电容层析成像系统进行图像重建的方法。基于对ECT系统基本原理的研究,推导出实现电容层析成像图像重建的Broyden族校正的数学模型,并采用归纳法分析了算法收敛性。对该算法应用于ECT上的可行性进行了探讨,该算法符合收敛条件且成像精度高。实验结果的数值表明Broyden族校正算法的重建图像效果非常理想,且成像质量优于SD、LBP、Landweber及CG算法,给ECT图像重建领域提供了一种有效的新方法。     

针状硅灰石填充PTFE密封材料的性能

以针状的硅灰石为填料,采用冷压烧结工艺制备了不同填料含量的聚四氟乙烯(PTFE)密封材料,考察了PTFE的拉伸、结晶、蠕变及摩擦性能,并借助扫描电子显微镜(SEM)、三维白光干涉表面形貌仪对样品的微观形貌进行了分析。结果表明:硅灰石的加入使得PTFE的结晶度和熔点有轻微的上升;随着硅灰石含量的增加,PTFE的拉伸强度和断裂伸长率逐渐下降,但抗蠕变性能显著提升;在摩擦过程中,硅灰石在磨痕界面区域堆积,有效承担了摩擦载荷,使得PTFE的体积磨损率降低了约两个数量级,但同时硅灰石也使磨痕的表面粗糙度明显变大,摩擦系数也因此增大。当硅灰石质量分数为15%时,PTFE的拉伸强度为48MPa,断裂伸长率为275%,蠕变量比纯PTFE降低约50%,耐磨性比纯PTFE提高两个数量级,且摩擦系数低至0.24,综合性能较好。     

基于UG三维可视化仿真的建筑施工全程虚拟

通过探讨UG三维可视化仿真软件对建筑施工全程进行“预演仿真”和“反演仿真”的决策优化实现路径，可建立三维可视化仿真施工全程虚拟技术流程。该技术可加速提升VR技术在建筑施工项目中的应用及其程度，实现建筑施工全程虚拟和决策优化。     

稀释剂对燃烧合成h-BN陶瓷性能的影响

通过燃烧合成结合热等静压的方法,在100MPa氮气压力下制备了h-BN陶瓷,理论计算了稀释剂h-BN的质量分数对反应的燃烧模式和燃烧温度的影响,通过实验分析了陶瓷的力学性能和稀释剂质量分数的关系,随着稀释剂质量分数的增加,产物的相对密度、抗弯强度和断裂韧性先升高然后有所降低,在稀释剂质量分数为67％处有最大值,其分别为1.41g/cm~3、41MPa和1.28MPa·m~(1/2),通过XRD分析了产物的相组成,SEM断口显微照片发现,h-BN呈层片状分布,其断裂方式为沿晶断裂。     

稻谷平房仓横竖向通风系统调质通风实验研究

为了探索横向通风系统进行调质通风的可行性,利用稻谷平房仓横向通风系统两侧吸出式调质通风工艺与同样仓型的竖向通风系统进行了调质通风对比测试,分析了2种调质通风的调质速率、均匀性和能耗的差异。结果表明,横向通风系统调质后水分增加了1.26%,均匀度增加了2.28%,调质通风单位能耗为0.511 kW·h/(%·t),横向通风系统两侧吸出式调质通风工艺可以满足粮食收储企业实际作业需求,横向与竖向通风系统均可达到调质通风工艺效果,该实验结果为稻谷平房仓横向通风系统的通风工艺综合应用提供了技术支持。     

晶体缺陷对多晶硅太阳电池反向漏电影响研究

多晶硅太阳电池所使用的多晶硅材料往往因铸造过程中温度、应力等方面控制不佳,导致晶体缺陷形成。本文通过研究“黑丝”电池片以及点状烧穿电池片这两种在电学性能上表现为严重的反向线性漏电的异常电池片,对比观察其异常所处位置的表面及其解理断面的微观结构,发现导致这两种反向漏电现象出现的本质原因是由于其所处位置的硅片结构存在位错或其他晶体缺陷。这种由于晶体缺陷导致的反向漏电现象会使电池在工作过程中局部过热,给光伏发电系统带来巨大隐患。     

质量体系建设中培训的实施

在质量体系的建设和推进过程中,培训是非常重要的一环。培训是普及质量体系知识,提高员工质量意识,形成积极向上的企业文化,建设学习型企业的重要步骤。     

西北地区铁塔基础混凝土塑料薄膜养护工艺

根据西北地区气候特点,采取塑料薄膜对基础混凝土予以养护。养护后混凝土表面质量美观,满足质量工艺要求,值得以后在西北地区铁塔基础混凝土养护施工借鉴。     

PECVD法生长晶化硅薄膜的机理

硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。     

发射装置后防振片压延故障分析

发射装置的后防振器安装在发射装置腹板内侧,挂弹后可用于消除导弹后吊挂与发射装置导轨腹板之间的挂装间隙,防止导弹在挂飞过程中产生间隙振动。其工作是否正常直接影响导弹挂飞过程中的防振功能。在外场使用过程中,发现个别后防振片有压延的现象,影响到了产品的正常使用。本文通过分析后防振片的工作原理,找出造成后防振片压延的主要因素。结合工程应用情况,通过规范加工方法和检查材料硬度防止了后防振片压延故障的产生。