金属钠在β氧化铝陶瓷内的电解沉积现象

钠β氧化铝(Na_2O·7～11Al_2O_3)是一种快离子导体材料,300～350℃的离子导电率为10~(-1)欧姆~(-1)·厘米~(-1),可用作钠电极高能电池、电化学器件或电解池的电解质隔膜。但是在传输钠离子电流过程中,可能引起钠沉积作用,即钠原子在β氧化铝晶格内或多晶材料晶界内沉积积累,从而使材料破裂或产生电子电导,是影响其使用寿命的一个重要原因。对损坏后的β氧化铝电解质隔膜进行分析和研究发现,在裂纹附近的钠较为集中,许多实验表明,钠沉积现象是在Na~ e→Na的反应界面上,即钠离子转变为金属钠时发生。     

SiC－TiB_2复相陶瓷的EPMA－EDS图象分析

讨论了ＥＰＭＡ－ＥＤＳ图象分析技术在材料研究中的特点及分析方法．对ＳｉＣ－ＴｉＢ_２复相陶瓷中的ＴｉＢ２相的尺寸、周长及所占面积等几何参数进行了分析，并研究了ＴｉＢ_２相的平均直径及面积与力学性能的关系．     

高Tc陶瓷中非超导相的EPMA研究

用 EPMA 的背散射电子像和相的元素分析发现,在 Ag-EuBa_2Cu_(3-x)O_7高 T_c 陶瓷中存在富 Ag 贫Cu 和无 Eu 二种非超导相,在 Ag-YBa_2Cu_(3-x)O_7中存在富 Ag 贫 Cu,富 Y 贫 Cu 和无 Y 富 Cu 三种非超导相,减少非超导相和气孔的数量是提高超导氧化物陶瓷临界电流密度的重要途径。对高 T_(?)陶瓷显微结构的观察度现,T_c 对显微结构因素不敏感,T_c 相同的超导陶瓷显微结构可有明显差异;断裂方式与烧结温度有关。     

SiO＿2－PbO玻璃的EPMA定量分析方法

ＳｉＯ＿２－ＰｂＯ玻璃的定量分析方法，是一项国际合作研究课题，我们是中国的唯一参加者。本文阐述了我们在ＥＰＭＡ定量分析过程中的样品制备方法、分析条件、标样选择及定量修正的计算方法等，并给出了我们及其他国家各实验室的ＥＰＭＡ定量分析结果和偏差。我们的分析结果与公布的标准结果十分接近。     

μm量级碳晶体的EPMA状态分析

用EPMA-8705QH_1电子探针仪,对化学气相沉积法生长的小颗粒碳晶体进行了状态分析。分析结果表明,用化学气相沉积法生长金刚石薄膜的过程中,会产生不同形态的金刚石和石墨晶体,并发现金刚石和石墨的共生晶体。该发析方法不但能对每个μm量级晶体进行状态分析,而且还能对其表面形态进行观察,是小颗粒晶体状态分析和显微结构分析的有效方法。     

钠与β氧化铝陶瓷氧化物组分(包括氧化物杂质)之间的还原反应的热力学探讨

当β氧化铝陶瓷用作固体电解质隔膜时,在传输钠离子电流的过程中,可能因金属钠在晶体晶格内或晶粒间沉积而被损坏。钠与β氧化铝或外来氧化物(包括不完全反应物、分解产物、掺杂氧化物和杂质等)之间的还原反应,对于陶瓷内的钠沉积或沉积后所引起的变化都有重要关系。本文通过热力学方法计算上述还原反应的趋向,并探讨它们对于钠沉积作用的影响。     

电子探针显微分析

一、前言电子探针X射线显微分析仪(Electron probe X-ray microanalyzer,缩写为EPMA或EPA)简称电子探针。它是固体物质显微分析(微区成份、形貌和结构分析)的有力工具。目前电子探针一般都和扫描电镜(SEM)相组合,成为一种综合性的测试分     

扫描电镜的试样制备方法及应用

扫描电镜的试样制备是一个非常重要的老问题 ,特别是场发射扫描电镜观察过程中的非导电试样的制备方法 ,制备方法不正确就会出现一些假象。本文主要讨论了与SEM图像质量相关的因素 ,例如加速电压、镀膜厚度、试样尺寸及固定方法等 ,举例说明了选择最佳条件在无机非金属材料研究中的应用。镀膜是解决非导电试样荷电现象的主要方法 ,也可以提高图像质量 ,但往往产生假象 ,对场发射扫描电镜试样要特别注意镀膜材料和镀膜厚度。镀膜材料要根据试样材料和放大倍率选择 ,在一万倍以下观察图像时 ,可以蒸镀金膜 ,用场发射SEM观察高倍图像时 ,应…     

固体中的离子迁移研究

本文综述了我们用 EPMA 和 SEM 技术研究固体中的离子迁移所取得的结果。主要内容包括:(1)测定在电子束轰击下固体中可迁移离子的种类和组成的变化。(2)确定低电导固体和快离子固体中的离子迁移的动力学方程式。(3)显示了金属沉积特征与离子迁移路径及固体显微结构的关系。所研究的固体材料为含 Na、Ag 和 Cu 离子的单晶、多晶和玻璃。特别对这些材料在电子束轰击下的离子迁移对轰击区组成变化及金属沉积的影响进行了研究。     

β氧化铝中的晶面消失及杂质带的分布

在晶体生长过程中经常出现一些生长台阶,这些台阶的形态和规律可反映出晶体生长习性和生长条件的变化。我们用JCXA-733电子探针仪的背散射电子的组成像,对β-Al_2O_3单晶的生长台阶进行了观察,观察到其生长速率较快的晶面的消失过程和杂质带的分布特征。