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71.
影响二维空气圆柱型光子晶体完全禁带的主要因素研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了晶格结构、填充比、介电常数比三个主要因素对二维空气圆柱型光子晶体完全禁带的影响。利用Bandsolve软件分别优化计算得到不同晶格结构、不同介电常数比的最大完全禁带,以及对应结构参数之间的关系。对于相同介电常数比,六边形晶格可获得较宽的完全禁带;而对于相同晶格结构,介电常数比越大,完全禁带宽度越大。  相似文献   
72.
针对焦平面红外探测器的结构特点,研究采用微光学阵列的方法,增加其填充因子,缩小探测器受光面积、减小暗电流、改善均匀性,从而提高其探测性能,以达到像传感器性能提高的目的.介绍了采用衍射光学元件优化红外成像系统设计, 实现光学系统的消像差和消热差.该系统折/衍混合光学系统结构简单,元件数目少,重量轻,成像质量好.  相似文献   
73.
衍射微透镜列阵质量评价方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据实际工程需要 ,对用于萨克 -哈特曼波前传感器的二元衍射微透镜列阵衍射效率的评价方法进行了研究。导出了制作误差与衍射效率的关系式 ,研究了由测得的制作误差评估衍射效率的方法 ,并建立了一套测量系统。  相似文献   
74.
二元位相匹配衍射透镜的研究与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对大数值孔径衍射透镜制作难、衍射效率低的问题,探讨了用位相匹配原理对元件结构参数优化设计的方法,研制出8台阶二元衍射位相匹配透镜列阵,达到了预期的效果。采用该方法设计的大数值孔径红外锗透镜和为光聚能器,应用在提高红外探测器性能的实验中。  相似文献   
75.
反应离子刻蚀工艺因素研究   总被引:9,自引:1,他引:8  
通过大量的实验研究,介绍了反应离子刻蚀的原理,分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素,给出了工艺参数结果。  相似文献   
76.
采用反应离子刻蚀技术,制作二元光学元件锗透镜阵列,对红外材料锗Ge的SF6加O2刻蚀机理和刻蚀特性进行了分析.并给出了研究结果。  相似文献   
77.
ISI-2802激光直写系统及其应用   总被引:9,自引:2,他引:7  
介绍中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室引进的国内首台激光直写系统的工作模式、基本结构、主要性能和应用范围等,并给出用这台设备已经作出的一些掩模图形的样品。  相似文献   
78.
为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点。选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300μm、抗蚀剂厚度为35.49μm、石英刻蚀深度为72.36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数。实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2.3637μm,均方根差为0.9779μm。  相似文献   
79.
外墙防渗漏的质量好坏,直接影响到建筑物的使用效果,给人们的生活、工作带来一系列的烦恼。为了解决这个问题,需要从技术的角度分析渗漏问题的成因,抓住重点,从根本上解决问题。本文分析了建筑中常见渗漏部位的产生原因,并提出了一些纺织措施,以供参考。  相似文献   
80.
人工复眼成像三维定位系统设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了一种简单、实用,基于人工复眼成像的三维定位系统,给出了人工复眼系统高精度定位机理,建立了人工复眼成像三维定位系统设计方法。系统采用平面阵列相机作为系统成像主体结构,每个子相机作为复眼的子眼,子眼以正四边形阵稀疏方式排布,采用平行光轴设计,构造出稳定可靠的光学结构,使计算结果更为精确。通过多重方向视差关系得出几何约束条件,采用多方向性、选择性立体匹配算法,建立计算模型,实现高精度定位。制备了1套子相机数目为9的原理样机,完成了三维定位测试实验,实验获得定位精度为2.53?10-4 rad。  相似文献   
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