基于Vivado HLS的求取特征点图像坐标的设计

针对传统嵌入式处理器处理高清图像时功耗高、延时长以及数据存储带宽受限等问题,文中提出了对软件进行硬件加速以提高图像处理系统计算性能的方案。该设计采用Xilinx高层次综合工具Vivado HLS,通过软硬件协同设计将OpenCV及C++编写的算法程序转化为RTL硬件。设计成果显示,该方案有效的提高了系统的计算性能,并且缩短了硬件开发周期。     

沐浴着女神的圣光

笔者是3年前从中原来到彩云之南的游学之人。记得那是到云南之后没有几天,偶然听到一位云大教授和他的研究生的一段对话。谈话间,教授对他的丽江籍木姓学生说:“丽江是我到过的最美的地方,是最值得去看的旅游圣地。”那时,丽江在我脑子中还只是一个模糊的影子。教授的话引得我即刻去翻查资料,这才知道早在1997年12月丽江古城就被联合国列入世界文化遗产名录。以古城而获此殊荣的,     

磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究

反应磁控溅射制备AlN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关。靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义。实验表明,在其他参数一定的情况下,N2/Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响。通过实验验证,选择N2/Ar流量比约为1.525可获得高质量的AlN薄膜(100取向)。     

一种峰值电流模式DC-DC转换器控制电路设计

基于中科渝芯40 V双极型工艺,完成了一种峰值电流模式DC-DC电压转换器控制电路的模块设计、芯片版图设计和流片验证,其通用于升压、降压、反相的场景,并可以实现输出电压可调。电路采用峰值电流模式的PWM控制方式,能够更好的提供瞬态特性以及重载下的输出性能。芯片集成功率开关管,采用类三角形分布式发射极版图设计,保证足够发射区面积的同时有效降低了基极电阻,减弱了电流集边效应,弥补了发射极去偏置效应,并且不增加额外面积。实测数据表明：外接1 nF的定时电容可产生约32 kHz的振荡频率,功率开关管关态集电极电流低至52 nA,功率管直流电流增益约为131,基准电压温度系数约为0.09 mV/℃,静态电源电流低,约为2.7 mA。     

基于超结结构的肖特基势垒二极管

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过sil-vaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。     

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...     

一种基于BJT工艺的电压反相电路设计

该文基于40 V耐压BJT工艺,利用电荷泵原理设计了一种DC/DC电压转换的电路。该电荷泵式转换电路使用电容器完成能量的传输与电压的转换,在实际电路中由一对开关电路与一个外部电容来实现对输入电压进行反相的电路功能。仿真结果表明,该电路在工作电压为8～20 V时,可提供-19～-7 V的输出,输出电流为10 mA,在1μF负载电容的情况下,输出纹波为43 mV,该电路采用双极型工艺,具有不易产生闩锁效应的优点,在应用时,外部组件少且无需电感,并能保证纹波在合理的范围内,可广泛应用于线性器件、放大器供电、电池分配器等电路中。     

三维集成大功率同步整流器的研究与设计

实现同步整流能够有效提高次级整流效率,并且有利于实现电源模块的小型化.将同步整流器中的控制电路和整流桥分别制作在两层芯片上,然后堆叠两层芯片并通过TSV实现层间信号互连,不仅能进一步提高集成度,还能有效降低引线延迟和功耗.设计了一种大功率同步整流器,仿真实现了输出电压为5V、最大输出电流为13.38A、输出电压和输出电...     

磁控溅射氧氩体积流量比对β-Ga2O3薄膜的影响

利用射频磁控溅射在c面单晶蓝宝石(Al₂O₃)衬底上制备Ga₂O₃薄膜,研究了溅射过程中通入氧气与氩气的体积流量比对经过异位高温后退火处理得到的β-Ga₂O₃薄膜特性的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表征,结果表明β-Ga₂O₃薄膜沿着■晶面择优生长,具备较好的单一取向性。在氧氩体积流量比约为1∶20时,薄膜的结晶性能相对较好、表面晶粒分布较均匀、均方根粗糙度较小、晶粒尺寸较大。此外,吸收光谱表征结果表明,不同氧氩体积流量比下制备得到的β-Ga₂O₃薄膜的带隙变化范围为4.53～4.64 eV,在较低氧氩体积流量比下制备的β-Ga₂O₃薄膜表现出较优的光学性质,在波长200～300 nm内具有较好的吸收特性,表现出良好的深紫外光学特性。