材料制备新技术—机械合金化

简略回顾了机械合金化(简称MA)法的发展过程,综述了其应用现状,指出了当前研究中存在的问题,对MA法的发展方向作了展望。     

N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系

在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K.采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系.     

氧化物热电材料的研究进展

介绍了氧化物热电材料的研究现状及发展趋势,以及氧化物热电材料的特殊优点;同时对氧化物热电材料做了大致分类.深入介绍了关于错配层氧化物高热电势起因的最新研究成果;广泛介绍了perovskite结构氧化物的置换对热电性能的影响,探讨了其导电机理及热电势的可能起因.最后介绍了透明导电氧化物热电材料.     

部分填充Skutterudite化合物La_yCo_(4-x)Fe_xSb_(12)与未填充Skutterudite化合物Co_(4-x)Fe_xSb_(12)的制备及热电性能(英文)

采用机械合金化-热压成形-退火工艺制备了部分填充Skutterudite化合物LayCo4-xFexSb12（x≤1,y≤1）,对比研究了填充化合物LayCo3.5Fe0.5Sb12与未填充化合物Co3.5Fe0.5Sb12的热电性能。结果表明,稀土元素La的填充使热导率显著下降,但同时也降低了功率因子,导致材料热电优值上升不大。因此,要提高材料热电优值,还须优化材料电性能。     

Fe置换CoSb3基Skutterudite化合物Co4-xFexSb12的机械合金化-热压-退火制备工艺研究

研究了Fe置换CoSb3基Skutterudite化合物Co4-xFexSb12(x≤1)的机械合金化及其制备工艺.在研究的成分范围内,所有的成分显示出相似的机械合金化动力学过程,初期Skutterudite相比(Co/Fe)Sb2相更易于形成,但随球磨时间进一步延长,(Co/Fe)Sb2相逐渐成为最强相.通过机械合金化不能得到单相的Skutterudite结构.球磨10小时的粉末经过热压成形后,大部分已转变为Skutterudite相,但仍有少量残存的Sb杂质.热压后进一步在650℃退火48小时后,得到了基本为单相的Skutterudite结构化合物Co4-xFexSb12(x≤0.65),且x=0.65时基本达到了Fe的置换固溶度.     

填充方钴矿类热电材料的研究进展

首先介绍了填充方钴矿类热电材料的电子结构特征,重点评述了方钴矿类热电材料的优化成分设计,并介绍了填充式skutterudite化合物能带结构的模拟计算、制备方法及其应用前景.     

热电激励形状记忆智能材料研究进展

利用热电材料TeM(Thermoelectric Material)的Peltier效应对SMA(Shpe Memory Alloy)实行快速冷却,可以大大提高形状记忆合金SMA的响应频率.分析比较了当前几种TeM-SMA的理论模型和实验结果,讨论了提高响应频率的方法,指出了有价值的研究内容.     

Bi2Te3基热电薄膜材料的制备方法研究

Bi2Te3基热电材料由于在微电子、光电子等高技术领域具有潜在的应用前景,从而得到了人们的广泛关注.低维Bi2Te3基热电材料由于具有特殊的量子限制效应,已成为提高热电性能的有效途径.近年来,研究者非常重视Bi2Te3基热电薄膜的制备及性能研究,并做了大量相关的研究工作,许多制备方法也相继出现,并获得了高质量的Bi2Te3基热电薄膜.     

CoSb3基Skutterudite化合物拉曼光谱研究

Skutterudite材料因具有特殊的晶体结构成为当前最有前途的热电材料之一,为深入研究填充Skutterudite化合物的热传导机制,对化合物的声子振动模式及置换、填充原子对声子模的影响进行了研究.通过对CoSb3,Co3.5Fe0.5Sb12的偏振拉曼谱研究,确认了一个Ag模,且与理论计算吻合较好.对CoSb3,Co3.5Fe0.5Sb12和La0.6Co3.5Fe0.5Sb12拉曼谱的对比研究表明,单纯Fe置换对拉曼谱影响很小,而La部分填充则使部分拉曼峰明显展宽,分析认为,这一现象主要源于填充原子在晶格空隙中的扰动.