PDM环境下基于实例推理的变型设计技术研究

针对建立实例库时存在的问题,对基于实例推理的变型设计进行了研究,提出了在PDM环境下建立实例库的方法.分析了实例推理的一般过程,提出了一种基于实例推理的变型设计求解模型,在此基础上, 以汽车产品为例,提出了一种变型设计的检索方法,为实现汽车产品的变型设计奠定了基础.     

园艺大讲堂圆满召开——偶然,我走进了花的世界

正"赏花赏园赏春光,听风听雨听故事",2018年5月9日,在芬芳浪漫的梦花源举行了由《园林》杂志携手上海上房园艺有限公司、上海园冶文创有限公司联袂打造的园艺大讲堂——偶然,我走进了花的世界。本次讲坛邀请了央视《朗读者》第一期嘉宾周小林殷洁夫妇,来叙述他们的鲜花山谷梦。上海市绿化和市容管理局政策研究室主任王永文、信息中心副主任王玉华,上海市园林科学规划研究院党委书记郑生全、院长张浪、副院长崔心红及上房园艺有限公司总经理黄建荣等出席本次讲堂。     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。     

如何选择集散控制系统

介绍了一种定量比较不同集散控制系统优劣的方法－－矩阵法,并详细阐述了其使用方法。     

改进蚁群算法在应急VRP中的应用及收敛性分析

应急条件(地震、泥石流、洪水等)下的路况不稳定,随时会发生意外的问题.为了解决应急条件下的物资分配,在研究蚁群算法解决传统VRP(vehicle routing problem)的基础上,通过加入动态路况子对VRP数学模型进行改进,提出蚁群算法对改进后的车辆路路径问题的数学模型,并利用陕西省21个城市的实际经纬度作为应急情况下的模拟货物需求地点和仓库进行系统仿真,对影响改进算法收敛性的参数进行分析.通过理论研究和MATLAB仿真,证明了这种改进的算法能够有效解决实际情况中的应急物流分配问题.     

模型库动态管理技术研究

提出一种以VC 6．0为开发平台，实现用户对模型库动态管理技术，并利用该技术开发应用程序界面。该技术特点是用户可建立适合自身特定领域的模型库，并可根据信息的变化，适时修改模型库中的模型。该技术在机电液通用仿真系统的元件模型库创建中得到应用，友善性良好。     

戢影华陶瓷艺术作品

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