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941.
一种双频段CMOS低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了一个可同时处理输入信号在937.5 MHz和408 MHz频段,应用于数字对讲机射频前端的双频段CMOS低噪声放大器(LNA)。所有的输入输出都被匹配到50Ω。芯片采用0.18μmCMOS工艺制造。仿真结果显示,在1.5 V供电电压下,937.5 MHz时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.92 dB、19.0 dB和6.0 mA;408 MHz时,分别为0.72 dB、20.9 dB和3.0 mA。据笔者所知,这是首个可以处理频率低至408 MHz信号的双频段CMOS低噪声放大器。 相似文献
942.
943.
本文对印制板采用丝网印刷制作液态感光成形绿油进行了简单介绍,对多种绿油制程的工艺过程和品质控制进行了较为详细的论述。 相似文献
944.
作为3G标准之一的TD-SCDMA系统,它的物理层协议对传输格式组合指示TFCI采用了双正交编码方法,但是标准中没有规定具体的译码算法.文中提出了一种在其编码方法的基础上简单高效的译码算法--基于最大TFCS的TFCI译码算法.其效率高,误码率低,性能较一阶Reed_Muller译码和快速哈达码变换译码有很大提升. 相似文献
945.
946.
947.
本文在试样的表面制作出等间隔的平行线,作为反射式光栅,在激光束的照射下形成一列线阵分布的衍射光斑,并用线阵电荷耦合器件等组成的系统,测试衍射光斑间距及其变化量,从而高精度(μm量级)的为材料表面形变,应变等的测试,开发了一种具有近代光学测量的新技术。 相似文献
948.
适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析 总被引:1,自引:5,他引:1
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。 相似文献
949.
950.
并元加集与二元并元码 总被引:5,自引:1,他引:5
本文首先进一步研究了并元加集存在的必要条件,从而提出了二元并元码所具有的长度。然后给出了一系列二元并元码的构造方法。证明了存在长度为22t+2的二元并元码,相应地证明了存在参数为(22t+2,22t+1±2t,22t±2t)的并元加集。 相似文献