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道达尔公司的创新网络 总被引:1,自引:1,他引:0
道达尔公司建立了由研发中心构成的遍布全球的创新网络。此创新网络有内部和外部之分,内部网络主要是由地位不同的各研发中心组成,其中,位于法国波城的勘探开发科技中心和位于比利时布鲁塞尔的Feluy研发中心是道达尔公司最主要的研发中心;外部创新网络主要是由道达尔公司及其研发中心与其他公司、大学、科研机构建立的合作或联盟机构组成的。 相似文献
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使用TSMC0.18μm RF CMOS工艺,设计一个低电压折叠式共源共栅结构低噪声放大器(LNA).利用性能系数FoM(Figure of Merit)衡量其整体性能,并通过仿真找到使FoM最大的偏置电压.使用Cadence SpectreRF仿真表明,在0.9V电源下,2.4GHz处的反射系数良好.噪声系数NF仅为... 相似文献
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对多核基带芯片物理层控制方案进行了简单的讨论,提出了一种用于GSM移动终端基带芯片物理层控制(L1C)的方案,根据GSM的帧结构设计了基时钟电路,并以物理层信号处理流程为依据,建立了物理层上下行的调度时序,初步完成了基带芯片SoC系统多核之间的任务调度和时序控制。 相似文献
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以高分子磁性材料(JV-5)为基板,通过在辐射贴片上采用I型缝隙加载的方法实现微带天线的小型化多频段特性,利用基于有限元法的电磁仿真软件HFSS13.0对天线的特性进行了仿真,仿真结果表明,该天线在回波损耗S11〈-10d B时,其工作频段为2.33~2.61GH、3.57~4.30GHz、4.80~5.57GHz,相对带宽分别达到了11.4%、19.2%、14.7%。 相似文献
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