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4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析 总被引:3,自引:0,他引:3
用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响.结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级;探测器的光谱响应范围为200~400 nm,在347 nm处响应度达到极大值;增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度;当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大. 相似文献
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基于热电子发射理论,使用器件仿真软件ISE-TCAD建立了6H-SiC MSM紫外光探测器器件模型。对金属叉指宽度和间距均为3μm的器件进行了仿真,结果表明该结构探测器在10V偏压下暗电流已经达到15pA。器件的光电流比暗电流大2个数量级。通过仿真研究了不同结构对器件暗电流和光电流的影响并优化了器件结构。结果表明电极宽度为6μm电极,间距为3μm的器件达到最大光电流5.3nA。电极宽度为3μm,电极间距为6μm的器件具有最高的紫外可见比其比值为327。 相似文献
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SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。 相似文献
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采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz~2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz~2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。 相似文献
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4H-SiC在Cl2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用C12+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、1CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194nm/min,表面均方根粗糙度为1.237nm,Cl/Si原子浓度比约为0.97%:99.3%。 相似文献
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