在Windows环境下开发应力测试系统控制软件的研究

讨论了在Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下用 Ｄｅｌｐｈｉ３开发半导体应力自动测量系统控制软件的方法和关键细节。介绍硬件与软件调试中要注意的问题。对 Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下开发控制硬件工作的软件进行了探讨。     

高速环形FIFO的设计

针对全局异步局部同步系统中不同时钟域间的通信问题,提出一种可用于多核片上系统的环形FIFO.采用独特的运行协议和串并结合的数据传输方式以及保证通信质量的双轨编码方法,设计了一种新颖的FIFO体系结构,使其可支持不同宽度数据的发送和接收,保证数据的完整高速传输.在0.18μm标准CMOS工艺下,FIFO的传输延时为681...     

三输入异步电路控制单元的设计实现

提出了一种新型多输入异步电路控制单元的设计方案,分析了电路的工作原理,基于0.6 μm的标准CMOS工艺实现了该电路的管级电路设计,介绍了如何根据具体应用要求调节电路参数.最后,针对不同的负载和延时情况给出了HSPICE 的仿真数据和对比曲线.仿真结果表明,该单元的最高工作频率可以达到约1.8 GHz.     

基于0.6μm BCD工艺的迟滞电流模LED驱动芯片设计*

基于0.6μm BCD工艺设计了一种高转换效率的迟滞电流模控制的白光LED驱动芯片。该驱动器可工作在6~40V电源电压下,其最大输出驱动电流可达1.0A,最大开关频率可达1MHz,输出电流误差小于?5%,转换效率大于80%。文章重点介绍了芯片内部影响输出电流精度的高侧电流检测电路以及高速比较器的设计,并给出了所设计的迟滞电流模白光LED驱动器的相关仿真和测试结果。     

基于微机械系统的多芯片组件封装和特性模拟

基于微机械系统(MEMS)的噪声估算,提出了一种可用于微机械系统的多芯片组件(MCM)封装技术,并对封装完成后的信号噪声、输入端相对延时、接收信号的电磁干扰强度等特性进行模拟.仿真结果表明,相对已有MEMS封装技术,本文提出的多芯片组件封装技术具有显著优点.文中封装尺寸182.88mm×121.92mm.     

基于CMOS开关电容技术的CAS解调电路设计

基于双二阶CMOS开关电容滤波器和隔离串联技术,应用抗混叠滤波技术和平滑滤波技术,采用UMC 0.5μm CMOS工艺实现了CAS解调电路的设计,并保证了解调的灵敏度。仿真和设计结果表明,该解调电路具有良好的稳定性和灵敏度,能应用于各种通信模拟解调集成电路设计。     

一种具有两个传输零点的新型带通滤波器

在分析带通滤波器等效电路类型与特点的基础上,提出了一种简单的且具有两个传输零点的新型带通滤波器结构,有效解决了低介电常数多芯片组件(MCM)集成带通滤波器的性能与面积的问题.通过实际设计加工测试了一款中心频率为1.61GHz、带宽为260MHz的带通滤波器,插入损耗为0.71dB,驻波1.2,测试结果与仿真结果一致,器件整体尺寸为3.2mm×2.4mm×0.6mm.     

4H-SiC在Cl2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究

采用C12＋Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺研究，分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、1CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响．得到的最大蚀速率为194nm/min，表面均方根粗糙度为1．237nm，Cl／Si原子浓度比约为0．97％：99．3％。     

压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析

以压电本构方程为基础，建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型，采用有限元分析软件ANSYS7．0对压电薄膜微传感器进行了模态分析，同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响，探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响应速度的关键因素，结果表明为了提高压电薄膜微传感器的工作稳定性和响应速度，应该在符合工艺要求和保证其它特性的前提下，尽量减小微悬臂梁结构长度，增加多晶硅层厚度，限制PZT层厚度，而微悬臂梁宽度的影响较小。     

nMOSFET X射线辐射影响研究

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流I2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。