提高钍萃取率和反萃取率的研究

用Ｐ３５０为萃取剂，对萃余水相（钍渣盐酸分解液经ＴＢＰ萃取铀、铁后的溶液）中的钍进行了提高萃取率和反萃取率的研究。结果表明，在萃取料液中补加适量ＨＮＯ＿３，增加ＮＨ＿４ＮＯ＿３用量，可大幅度提高钍的萃取率；加适量氨水于水中作反萃取剂，可提高钍的反萃取率。     

包层变化型光纤光栅传输特性研究

运用传输矩阵理论分析了一种包层半径变化的光栅结构。对包层形状变化取不同形式的光栅传输特性进行了模拟。研究发现,包层半径沿z轴非单调变化将比单调变化时具有更好的方波形反射谱;当半径变化因子g取0．1,包层形状为sin型及外加应力F为1．0N时,可以得到带宽为0．9nm,中心波长为1．55685μm的方波形反射谱。对光栅施加外力时的应变响应进行了研究,发现其对应力也是非常敏感的。     

用局部傅里叶变换进行图像融合

本文种基于局部傅里叶交换通过比较图像局部频谱中谐波系数进行图像副合的方法,这是一种算法简单,物理意义明确的图像融合方法,实验表明这种方法对不同聚集图像的融合特别有效,文中给出了这类图像融合的实验结果,结果表明本文的方法远优于直接取均值融合,也优于用小波分解的融合方法。     

多粒度交换光网络路由和波长分配算法研究

多粒度交换能减少交换节点中的交换矩阵规模及复用器和解复用器的数目，从而降低其成本，但是使得RWA问题变得较多纤光网更加复杂．本文提出了一种称为多维空间图(MDS-G)的模型，该模型能够全面准确地描述多粒度光网络中的资源状态，基于该模型的算法能够将多粒度交换光网络的路由和波长分配两个通常分开解决的子问题一步解决，从而得到较现有的方法更好的性能，仿真也证实了这一点．     

Mentor与ONE合二为一

最近获悉,Mentor与ONE(Open Networks Engineering)合并,这是嵌入式系统工业的一项重大变革。它具体体现出Mentor Graphics公司通过不断兼并在硬件开发方面有所建树的公司来充实壮大自己的一贯策略。在1年多以前,Mentor公司兼并了Microtec公司,从而使自己朝系统公司的方向迈进了一大步。如今,Mentor     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

热光可调谐Si基聚合物列阵波导光栅

报道了用五氟苯乙烯共聚甲基丙烯酸环氧丙酯(PFS-co-GMA)的聚合物材料制备的33×33信道热光(TO)可调谐的阵列波导光栅(AWG)。给出了器件的制作工艺流程和测试结果。测得器件的波长间隔为0.81nm,3dB带宽为0.35nm,串扰约为-20dB,中心输出信道和边缘输出信道的插入损耗分别为10.4dB和11.9dB,TO可调谐值为-0.12nm/K,在温度为10~65℃时的器件工作中心波长为1545.21~1551.81nm,调谐范围为6.6nm。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

真丝织物转移印花助剂的研制及其机理探讨

对合成真丝织物转移印花助剂的几个重要影响因素进行了讨论,经过对投料比,反应时间,温度等条件优化,合成出应用效果好的转移印花油剂。结果表明,转移印花后织物各项牢度指标达到真丝织物一级品质量标准,文章还对助剂在真丝转移印花中的作用机理进行了探讨。     

熟食专间内紫外线消毒灯使用现状与对策

《上海市熟食卤味卫生管理办法》规定熟食专间内应设有紫外线消毒灯。为了解我区饮食业熟食专间内紫外线消毒灯使用状况,是否符合卫生要求,笔者于１９９６年底和１９９７年初对长宁区４１家饮食业进行现场调查,并对存在问题的对策进行探讨。１材料与方法１．１内容调查...