BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究

本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。     

三维集成电路与SOI技术

一、三维集成电路随着大规模集成电路集成度的提高,通常的二维集成电路逐渐受到微细加工精度的限制,研制新型的真正立体结构的三维集成电路,近几年来引起了国际上许多国家的注意.美国斯坦福大学、贝尔实验室、麻省理工学院、德克萨斯仪器公司等先后开展了三维集成电路的探索研究.日本制定的九十年代产业基础技术研究开发规划中,把三维集成电路的研     

用5—20keV As~+、BF_2~+注入与快速热退火制作超浅结的研究

利用能量为5—20keV、剂量为5×10~(14)—5×10~(15)cm~(-2)的BF~+_2和As~+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结深～100nm、薄层电阻～60Ω/口的突变p~+-n和n~+-P超浅结。     

硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究

将１×１０１７／ｃｍ２的氦离子以３５ｋｅＶ的能量注入到单晶硅中，在硅表层下面形成纳米空腔。将１×１０１７／ｃｍ２的氧离子注入到空腔层的下方。用ＲＢＳ／Ｃ、ＳＲＰ及ＸＴＥＭ等测试手段对样品进行研究。结果表明，纳米空腔对氧有强烈的吸附作用，１００００Ｃ退火后氧从原注入位置释放，并被空腔俘获，形成含纳米孔的氧化埋层。氧与空腔的互作用抑制了纳米空腔的迁移、聚合。利用这一现象有望制备出纳米氧化埋层ＳＩＭＯＸ材料。     

硅中注As_2~ 和As~ 引起损伤的比较

本文比较了室温下每原子质量单位能量相同的As_2~ 和As~ 注入(100)Si所引入的辐射损伤。结果表明,As_2~ 注入引入的辐射损伤大于As~ 注入的辐射损伤,损伤增强因子N_D(mol)/2N_D(atom)在5keV/atom至250keV/atom注入能量范围内随入射离子的能量的增大而增加。     

Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers

ＴｒａｎｓｉｅｎｔｒａｄｉａｔｉｏｎｅｆｆｅｃｔｓｉｎＣＭＯＳｉｎｖｅｒｔｅｒｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｏｎＳＩＭＯＸａｎｄＢＥＳＯＩｗａｆｅｒｓＺｈｕＳｈｉ－Ｙａｎｇ（竺士炀），ＬｉｎＣｈｅｎｇ－Ｌｕ（林成鲁）（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆ...     

离子注入在金属材料中的应用及分析

在真空系统中利用加速器把电离的阳离子加速后,打入金属材料的表层内,以改变材料表面的物理化学性能的离子注入新技术,在材料科学研究中具有广阔的前途。国际上对金属表面离子注入的研究十分活跃,连续召开过“离子束材料改性”及“离子束分析”国际学术会议。离子注入的优点在于对任何元素的离子都可以利用注入技术,不受合金系统平衡相图的限制;可以获得其它常规方法无法制备的新型合金;注入层与基体材料之间无界面存在;注入后金属表面的光洁度和尺寸精度不变;注入的能量和剂量可以精确控制。离子注入使材料表面改性,包括化学改性,物理     

Experimental studies of N~+ implantation into CVD diamond thin films

The effects of N+ implantation under various conditions on CVD diamond films were analyzed with Raman spectroscopy, four-point probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backseattering spectroscopy (RBS), ultraviolet photoluminescence spectroscopy (UV-PL), Fourier transformation infrared absorption spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the N+ implantation doping without any graphitization has been successfully realized when 100 keV N+ ions at a dosage of 2 × 1016 cm-2 were implanted into diamond films at 550℃ . UV-PL spectra indicate that the implanted N+ ions formed an electrically inactive deep-level impurity in diamond films. So the sheet resistance of the sample after N+ implantation changed little. Carbon nitride containing C≡N covalent bond has been successfully synthesized by 100 keV, 1.2×1018 N/cm2 N+ implantation into diamond films. Most of the implanted N+ ions formed C≡N covalent bonds with C atoms. The others were free state nitroge     

SOI材料和器件及其应用的新进展

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展，介绍了SOI器件的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用，报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。     

N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。