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81.
82.
用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。x射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm ̄2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。 相似文献
83.
84.
结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合(Anodic bonding),利用智能剥离技术(Smart—cut)成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上。采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉曼光谱等对SOG材料进行了研究,结果表明此技术制备的SOG材料具有界面陡峭、平整,顶层硅单晶质量完好等优点。 相似文献
85.
86.
Leakage behavior and distortion of the polarization hysteresis loop in ferroelectric thin films are analyzed by applying a totally depleted asymmetric back-to-back Schottky model, with the Pt/Pb(Zr, Ti)O3/Pt ( Pt/ PZT/Pt) sandwich structural thin film capacitor as an example. Some interesting phenomena resulting from the asymmetric interfaces, such as the leakage current level, the flat-band voltage, the disclosure of the hysteresis loop, and the change in the remanent polarization and coercive field, as well as the vertical drift of the polarization hysteresis loop, are discussed in detail. The calculated results are also verified with experiments. 相似文献
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SiC是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。SiC中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了SiC 的注入(70keV,剂量5 ×1013 至5 ×1015cm - 2) 损伤及其对SiC光学性质的影响。研究表明,SiC的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收(< 2.9eV),而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。SiC是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。SiC中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了SiC 的注入(70keV,剂量5 ×1013 至5 ×1015cm - 2) 损伤及其对SiC光学性质的影响。研究表明,SiC的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收(< 2.9eV),而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。 相似文献