25keV As^＋大倾斜角注入的损伤分析

通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．     

Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

退火条件对β—FeSi_2形成的影响

本文采用反应沉积－团相外延法制备β－ＦｅＳｉ２溥膜．不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量．利用卢瑟福背散射方法研究了β－ＦｅＳｉ２的形成过程中的Ｓｉ的扩散。探讨了退火形成β－ＦｅＳｉ２的形成机制．     

智能剥离技术制备单晶 SOG材料的研究

结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合(Anodic bonding)，利用智能剥离技术(Smart—cut)成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上。采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉曼光谱等对SOG材料进行了研究，结果表明此技术制备的SOG材料具有界面陡峭、平整，顶层硅单晶质量完好等优点。     

离子注入硅形成绝缘埋层的红外反射谱分析

高剂量、大束流的O~+或N~+注入硅中经高温退火后能形成质量很好的SOI(Silicon onInsulater)材料。在波数范围为5000—1500cm~(-1)的红外波段内,硅及SiO_2或Si_3N_4绝缘埋层对红外光均无吸收。采用计算机模拟不同处理条件下的样品在该波段范围的红外反射谱,得到了样品的折射率随深度的变化关系,所得结果与透射电子显微镜、离子背散射等方法所得的分析结果符合得很好。     

Leakage behavior and distortion of the hysteresis loop in ferroelectric thin films

Leakage behavior and distortion of the polarization hysteresis loop in ferroelectric thin films are analyzed by applying a totally depleted asymmetric back-to-back Schottky model, with the Pt/Pb(Zr, Ti)O3/Pt ( Pt/ PZT/Pt) sandwich structural thin film capacitor as an example. Some interesting phenomena resulting from the asymmetric interfaces, such as the leakage current level, the flat-band voltage, the disclosure of the hysteresis loop, and the change in the remanent polarization and coercive field, as well as the vertical drift of the polarization hysteresis loop, are discussed in detail. The calculated results are also verified with experiments.     

用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触

本文用调Q红宝石脉冲激光器(波长6943A、脉宽30ns)以1.1～2.9J/cm~2的激光能量密度,在N型GaAs上进行激光合金化研究,试验了不同GaAs外延层浓度、不同合金层组分、不同激光脉冲次数对欧姆接触电阻率的影响。结果表明,适当能量密度激光合金化所得到的接触电阻率同加热合金化最好结果相当或更好,激光合金化表面均匀,质量好,而且不影响半导体器件内结的特性。     

衬底预热对激光再结晶SOI材料的影响

在半导体激光退火的研究中,不同波长激光的能量与半导体耦合的方式是不同的。不少学者研究指出,在CO_2激光照射半导体时,主要是借助于自由载流子的吸收。为了促进CO_2激光与半导体的耦合,提高CO_2激光能量的利用效率,在CO_2激光照射半导体时将样品预热是一种有力的措施。Ar~+激光照射半导体硅时,由于其光子能量大于硅的禁带宽度,所以主要发生的过程不同于CO_2激光照射的情况,是电子吸收光子     

脉冲激光束制备镓铝砷-砷化镓太阳电池的欧姆接触

欧姆接触是器件工艺重要环节之一,人们在这方面进行了许多研究。对太阳电池来说,欧姆接触极为重要,它影响短路电流、填充因子等等,它直接对电池效率产生影响。迄今为止,镓铝砷-砷化镓太阳电池上的欧姆接触合金化仍是用加热方法来完成的。近年来,国内外都在研究用脉冲激光束来制备欧姆接触,其比接触电阻值已与加热合金化方法所得结果相当。和加热合金化方法相比,用脉冲激光束合金化还有下述优点:     

氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响

ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ,剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明,ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ）,而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ,剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明,ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ）,而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。