一种检测硅片表面加工质量的方法

硅半导体器件、特别是大规模集成电路的可靠性,在很大程度上取决于硅片表面的加工质量。为了获得表面加工质量较好的硅片,除了改善加工方法外,还必须建立起一种较为灵敏的检测手段,才能比较真实地反映硅片表面的加工状态。目前,通常用于检查硅片表面加工质量的方法有:低倍显微镜直接检查法——这种方法只能检查出较为明显的机械损伤,而不能发现抛光时产生的细微缺陷;腐蚀法——所得结果与腐蚀液成份、腐蚀时间有关,并且,腐蚀时剥离去片子的表面层,因而无法检测较浅的表面层损伤。上述两种方法的     

象增强器用微道板的制作工艺

近年来,微道板作为一种高增益的电子倍增元件已成功地应用于各种象增强器中。这种微道板就是一束电子通道倍增器。通道的内表面是良好的二次发射体,而且具有一定的导电性。当微道板加上工作电压时,在通道内建立起加速电场,电子在该电场作用     

半导体硅的光谱透过率

本文将讨论工业生产的半导体硅的光学透过率,并介绍按照硅的电阻率大小来选择制造光学零件的硅材料。众所周知,硅是一种很好的红外光学材料,可是,将它应用于制作光学零件却遇到     

小型热释电探测器

带阻抗变换器的热释电器件体积大,价格贵,不利于普及应用。本文介绍了一种小型的热释电探测器。在参数满足使用要求的前提下,我们改革了器件的结构和制作工艺,缩小了器件体积,降低了成本,克服了以往器件的缺点。     

铟锑—等离子化学沉积二氧化硅结构的某些特性

目前,对铟锑—自身阳极氧化系统已作了较好的研究。但是,对于在InSb基底上具有习惯上供硅工艺用的介质(SiO_2,Si_3N_4,SiON)的MIS结构的性能的研究却作得很少。可是,后者在半导体—介质界面处的许多参数超过了InSb自身氧化结     

阳极氧化—InSb结构的电物理性能

一、引言目前,人们对窄禁带半导体(如In Sb[1—5],In As[6]等)MIS结构的制取和研究给予了极大的关注。因为,利用这些结构作为红外波段的灵敏探测器是很有前途的。由于上述材料的热性能较差,因此,表面钝化的主要方法是在电解液中进行阳极氧化。过去对阳极氧化物(AO)—InSb系统已作过比较详细的研究,但是,由于结构的制作工艺、实验装置及对其结果的解释不同,各个作者所得结构的主要性能数据不同。因此,有必要进一步详细