CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺

本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。     

室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备

采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的碲锌镉晶体,晶体利用率达到70%以上。晶体中Te沉淀/夹杂密度小于1×10-3cm2,电阻率达到4×1010Ω.cm。利用得到的晶体制备了平面型单元探测器,测量了对不同能量射线的分辨率,其中对241Amγ能谱的分辨率达到4.7%,对137Cs能谱的分辨率为4.2%。采用Hecht公式对探测器收集效率与偏压的关系进行了拟合,得到电子的迁移率与寿命乘积值达到2.3×10-3cm2/V。     

同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnTe的接触势垒

采用分子束外延的方法在理想清洁的CdZnTe表面蒸金,获得了Au/CdZnTe肖特基接触.采用同步辐射光电子能谱研究了Au与CdZnTe(110)和(111)A面的肖特基接触势垒.实验测得Au与CdZnTe(110)和(111)A面的接触势垒分别为0.738和0.566eV.运用金属感应隙态模型(MIGS)对实验结果进行了分析和解释.     

CdZnTe晶体(111)面摇摆曲线不唯一现象研究

CdZnTe晶体通常利用其(333)晶面的X射线衍射摇摆曲线来检测(111)晶面的结晶质量.本文根据CdZnTe晶体(333)面摇摆曲线实验结果,首次提出了CdZnTe晶体摇摆曲线的不唯一现象.摇摆曲线的这种不唯一现象是样品绕(111)面法线方向旋转360.过程中,晶体的(333)面和(333)面在同一衍射几何中都发生了布拉格衍射,优化扫描后得出两个摇摆曲线.分析了CdZnTe晶体(333)面和(-333)面对X射线散射能力,得出CdZnTe晶体(333)面的衍射强度小于(-333)面的衍射强度,所以在同等实验条件下,对同一CdZnTe晶片(333)面的摇摆曲线的强度比(333)面摇摆曲线的强度低.     

Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析

采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响.实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率ρc显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω·cm2.通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理.     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程.以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响.以此为基础,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导...