电子回旋共振CF4＋O2等离子体中Si3N4刻蚀工艺研究

在一台自行研制的电子回旋共振(ECR)刻蚀系统中用CF4、O2气体实现了Si3N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2含量为0％时最慢，然后随着气体混合比的增加而增大，当气体中O2含量为20％时达到最大，然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为20％，刻蚀速率随气体流量增加而增大；同时，微波功率越大，刻蚀速率也越高。     

SiC材料的低速率浅刻蚀工艺研究

对比研究了SiC材料在CF4+O2混合气体中的ICP刻蚀和RIE刻蚀,获得了刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度随刻蚀功率、偏置功率、工作真空、氧含量等工艺条件的变化规律,研究结果表明,通过牺牲一定的刻蚀速率可以获得原子量级的刻蚀表面粗糙度,能够满足SiC微波功率器件研制的要求.     

Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electromagnetic pulse

A study on the influence of the external resistor and the external voltage source during the injection of the electromagnetic pulse(EMP) into the bipolar transistor(BJT) is carried out.Research shows that the increase of the external resistor R_b at base makes the burnout time of the device decrease slightly,the increase of the external voltage source V_(be) at base can aid the damage of the device when the magnitude of the injecting voltage is relatively low and has little influence when the magnitude i...     

存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET温度特性研究

利用二维器件仿真软件 MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的 n沟 6H-Si C场效应晶体管的结构模型和物理模型 ,通过模拟研究 ,分析和讨论了界面陷阱对器件阈值电压、跨导及其温度特性的影响。     

一种抑制ESD保护电路闩锁效应的版图研究

针对具有低压触发特性的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路易闩锁的不足,本文结合CSMC0.6μm CMOS工艺,设计了一种可应用于ESD保护电路中的独立双阱隔离布局方案,这种方案不仅可以有效的阻断形成闩锁的CMOS器件固有纵向PNP与横向NPN晶体管的耦合,且兼容原有工艺而不增加版图面积。将此布局方案与常规保护环结构同时应用于笔者研制的具有低压快速触发特性双通路ESD保护电路中,通过流片及测试对比表明,该布局方案在不影响保护电路特性的同时,较常规保护环结构更为有效的克服了保护电路的闩锁效应,从而进一步提升了该保护电路的鲁棒性指标。本文的布局方案为次亚微米MOS ESD保护电路版图设计提供了一种新的参考依据。     

考虑工艺波动的两相邻耦合RC互连串扰噪声估计

基于6节点耦合互连串扰噪声电路模型,提出了一种新的考虑工艺波动的统计互连串扰噪声分析方法,在给定互连参数波动范围条件下,推导出了耦合互连统计串扰噪声的均值和标准差的解析表达式．实验结果表明,与在互连工艺波动研究中广泛采用的蒙特卡罗方法相比,新方法在确保计算精度的前提下大大缩短了计算时间,且采用新方法计算得到的RC互连串扰噪声均值误差低于2.36％,而标准差误差则低于7.23％．     

双极晶体管EMP注入损伤效应以及注入电压和能量的关系

本文研究了双极晶体管在不同注入电压下的方波电磁脉冲响应。利用曲线拟合的方法,获得了器件烧毁时间、损伤能量和注入电压的关系。研究显示器件的损伤能量并非固定值,其随着注入电压的水平而变化。通过器件仿真软件Medici分析了烧毁器件的内部变化,仿真结果显示损伤能量随着注入电压的变化,是由于器件烧毁点位置的分布随着注入电压的变化而导致。因此,由于损伤能量的变化性,传统上利用烧毁时间和注入电压的折中来进行评估器件的损伤,则不太合理。     

结构光照明显微镜照明系统的设计与仿真

结构光照明显微镜是一种结合结构照明技术与宽场成像原理实现表面形貌测量的新工具。为方便调节物面光强和照明视场大小,并保证结构光条纹的均匀性,基于科勒照明原理提出利用成品透镜与无限远物镜,并结合数字微镜阵列(DMD)设计结构光照明显微镜照明系统的方法。通过Zemax软件建立设计模型进行仿真分析,验证了该方法设计的结构光照明系统投射到物面光照的均匀性。     

具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计

设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器.根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积.Si MOS器件电源电压为5 V,采用TSMC 0.25 μm工艺制作.当温度从300 K变化到600 K时,SiC 运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300 K的64 dB降到-80 dB,失去电路的稳定性.但是,由于SiC MOS器件沟道迁移率低,导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si运算放大器.     

掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究

采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究．对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小．