结构光照明层析多样性表面形貌测量

围绕散射表面和复杂微结构表面形貌高精度测量需求,对基于结构光照明的表面形貌测量技术与系统进行了研究,设计了基于科勒照明结合数字微镜器件调制的具有良好结构光对比度和均匀性的结构光照明光学系统,提出了基于高斯曲线插值的虚拟狭缝SlitMask结构照明共焦层析算法与基于迭代高斯拟合的峰值提取重建算法,建立了结构光照明表面形貌测量系统,利用单刻线对系统进行准确性与重复性测试,结果表明相对示值误差为1.87%,重复测量结果的标准差为0.0014μm。对玻璃多刻线样板和车削表面进行测试,验证了本系统不仅可用于反射表面的测量,还对散射表面具有较好的测量能力。     

无线传感器网络中基于区域通信覆盖的节点定位投放算法

针对无线传感器网络中传感器节点投放分布对投放区域有效通信信号覆盖的影响,该文提出了一种基于通信覆盖的分布式投放概率覆盖(DDCP)算法。在保证投放精度的前提下,该算法根据传感器节点在投放区域中位置的不确定性以及信号衰减特性,建立信号覆盖模型,并通过概率优化获取传感器节点的最佳投放位置和投放数目。这样改善了区域通信覆盖,同时提高了投放效率和节省网络资源。通过仿真比较了在不同定位投放方法下的各相关性数据,验证了该算法实现高效投放的优越性和正确性。     

6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析

采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大.     

雪崩PIN二极管中的电流丝运动

The motion of current filaments in avalanching PIN diodes has been investigated in this paper by 2D transient numerical simulations.The simulation results show that the filament can move along the length of the PIN diode back and forth when the self-heating effect is considered.The voltage waveform varies periodically due to the motion of the filament.The filament motion is driven by the temperature gradient in the filament due to the negative temperature dependence of the impact ionization rates.Contrary to the traditional understanding that current filamentation is a potential cause of thermal destruction,it is shown in this paper that the thermally-driven motion of current filaments leads to the homogenization of temperature in the diode and is expected to have a positive influence on the failure threshold of the PIN diode.     

外接元件对双极晶体管电磁脉冲损伤的影响

本文研究了外接电阻和外接电压源在电磁脉冲对双极晶体管注入过程中的影响。研究表明：基极外接电阻Rb的增大使器件的烧毁时间略有减小;在注入电压幅度较低时,基极外接电压源Vbe的增大有助于器件的损伤,当注入电压幅度足够高时,器件发生PIN结构击穿,基极外接电压源Vbe对器件损伤的影响变小;发射极外接电阻Re的增大能够明显降低注入脉冲加在器件上的电压降,从而提高器件的耐受性。外接电路元件对双极晶体管损伤的影响,归根结底都是对构成器件发生电流模式二次击穿的条件的影响。     

掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.     

n沟6H-SiC MOSFET阈值电压的温度特性模拟与分析

分析了n沟6H—SiCMOSFET的杂质不完全离化和SiO2—SiC界面存在大量界面陷阱等问题，研究了影响6H—SiCMOSFET器件阅值电压温度特性的诸因素。通过解析式计算和MEDICI软件模拟，得到了多种因素共同作用下的器件闪值电压的温度特性。研究表明，体内杂质的不完全离化、表面空间电荷层中的杂质离化程度和特定分布的界面电荷，对阅值电压的温度特性有显著的影响。     

数字显示电路的设计与多芯片组件封装实现

由于MCM自身的特点，物理设计已成其瓶颈问题。本文在已有方案的基础上，设计实现了一个数字显示电路，并计算了各单元电路的相关参数，最后对电路进行多芯片组件(MCM)封装。仿真结果表明，该电路的最大电容量和响应时间等参数均能满足电路设计的要求。     

新型CMOS采样/保持电路的设计研究

讨论了目前各种先进的采样／保持电路结构，基于底极板(BottomPlate)采样技术和引导开关技术，设计了一种新型的全差分开关电容双采样保持放大器，有效地消除了电荷注入和时钟馈通效应，并保证了较高的单位增益频率、采样速率和信号建立时间。电路设计基于TSMC 0．35μm CMOS工艺Bsim3模型，并采用Hspice工具对设计进行了仿真验证。     

SiC气体传感器

SiC肖特基二极管气体传感器可以广泛应用于检测气体排放物和气体泄露。通过采用PdCr合金 ,可以提高Pd/SiC气体传感器的灵敏度。同时 ,在Pd层和SiC之间引入SnO2 作为界面层也是提高其灵敏度的一种有效途径。进一步的研究表明 ,SnO2 层的大小也对传感器的性能有着重要影响。