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51.
在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.  相似文献   
52.
针对高光谱图像数据量大,光谱匹配计算耗时长的缺点,提出一种CUDA架构下的高光谱图像光谱匹配快速实现方法。首先,在分析高光谱图像特点的基础上,介绍高光谱图像光谱匹配的一般方法;其次,介绍CUDA架构及其特点,依据CUDA架构的特点,将通常的高光谱图像存储格式进行重新组织,并将参考光谱存储在共享内存中,以达到快速访问的目...  相似文献   
53.
高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制   总被引:3,自引:4,他引:3  
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.  相似文献   
54.
综述了光子晶体激光器研究领域的最新进展,介绍了当前国际上所研制的光子晶体激光器的主要类型、结构、工作原理和性能参量等,并对其发展前景作了简要展望.  相似文献   
55.
大数据时代, Graph500是评测超级计算机处理数据密集型应用能力的重要工具, E级验证系统的图遍历处理能力主要受限于内存空间和访存带宽, 尤其是内存空间利用率直接决定了图的测试规模和测试性能.针对天河E级验证系统小内存特征, 提出了基于双向位图的大规模图数据压缩存储方法(bidirectional-bitmap based CSR, Bi-CSR), Bi-CSR在CSR矩阵压缩的基础上引入行方向位图和列方向位图协同完成稀疏矩阵压缩存储, 行方向位图主要负责行方向位图的压缩存储与索引, 列方向位图除了进一步压缩图存储空间, 还负责为顶点遍历向量并行优化提供加速空间.Bi-CSR大幅度减少了稀疏矩阵存储空间.面向天河E级验证系统, 当图输入规模为2\\+\\{37\\}时, Graph500的图存储空间节约效率接近70%, 全系统稳定测试性能为2.131E+12TEPS, 性能最大加速比超过100倍.  相似文献   
56.
1已报批的人造板标准1)刨切单板(修订)2)木材胶粘剂及其树脂检验方法(修订3)木材工业胶粘剂用脲醛、酚醛、三聚氰胺甲醛树脂(修订)4)竹材地板5)单板层积材6)软木地板7)木质地板铺装、验收和使用规范8)装饰单板贴面人造板(修订)9)饰面用浸渍胶膜纸(修订)10)浸渍胶膜纸饰面人造板(修订)11)竹材人造板术语12)体育场馆用木质地板13)细木工板(修订)14)铁路客车用胶合板(修订)15)重组装饰材16)重组装饰单板17)人造板工业生产性粉尘控制技术规程18)直接印刷人造板19)模压刨花制品(家具类)(修订)20)湿粘性单板封边胶纸带(修订)21)指接材非结构用(修…  相似文献   
57.
机经 《工程机械》2012,(4):71-71
在2月21日落幕的全国进出口工作会议上,商务部初步圈定了中国在“十二五”期间将重点开拓的30个新兴市场名单。商务部副部长钟山表示,这30个新兴广场广泛分仙于亚洲、欧洲、非洲和美洲,俄罗斯、印度、南非、部分阿拉伯国家及其他一些资源丰富、战略地位重要的国家都包含在内。  相似文献   
58.
正一、回眸2013(一)运行总体平稳2013年,宁波市934家规模以上纺织服装工业企业完成工业总产值1168.7亿元,同比增长0.2%;完成销售产值1152.1亿元,同比增长0.6%;出口交货值411.5亿元,同比下降1.9%;实现利税总额84.2亿元,同比增长7.3%,其中利润55.9亿元,同比增长5.8%;资产规模1169.1亿元,同比增长2.1%;从业人员24.4万人,同比减少了3.8%。宁波规模以上纺织服装工业占全市规模以上工业的比重:工业总  相似文献   
59.
利用数字图像方法测量岩石节理裂隙宽度(开启度),需要对岩石裂隙进行分段。由于节理裂隙的信息主要反映在其特征点(角点)中,故提出了一种角点分段算法。利用此算法对岩石裂隙分段,再利用改进的Ferret——最佳拟合长方形算法测量宽度,通过对所得结果进行分析可知,利用角点分段算法和最佳拟合长方形算法相结合测量岩石裂隙宽度,与其他测量方法相比不仅实现了计算机的自动测量,而且测量的精确度更高。  相似文献   
60.
胺交联的磺化聚芳醚砜酮荷电膜的制备及微观结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用乙二胺(EDA),己二胺(HDA)和对苯二胺(PPD)为交联剂,与磺化杂萘联苯聚芳醚砜酮(SPPESK)反应生成磺酰胺交联键,制备胺交联的磺化杂萘联苯聚芳醚砜酮荷电膜.通过元素分析确定交联程度.采用示差扫描量热,扫描电镜以及应力-应变测试等方法研究交联膜的微观结构.实验结果表明,交联剂的种类、用量以及SPPESK的初始磺化度显著影响体系的相容性,交联剂用量过高会导致交联膜发生微观相分离,影响交联膜的性能.胺交联法制备荷电膜时交联度不宜过高.  相似文献   
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