Dopant Behaviours of Sm_2O_3 on Microstructure and Properties of Barium Zirconium Titanate Ceramics

Ａｓｔｈｅｓｏｌｉｄｓｏｌｕｔｉｏｎｏｆｂａｒｉｕｍｚｉｒｃｏｎａｔｅａｎｄｂａｒｉｕｍｔｉｔａｎａｔｅ ,ｂａｒｉｕｍｚｉｒｃｏｎｉｕｍｔｉｔａｎａｔｅ(ＢＺＴ)ｃｅｒａｍｉｃｓｉｓｐｒｏｖｉｄｅｄｗｉｔｈｄｉｓｔｉｎｃｔｄｉｆｆｕ ｓｉｖｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｐｈａｓｅｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ,ｗｈｉｃｈｃａｎｂｅａｔｔｒｉｂｕｔｅｄｔｏｔｈｅｐａｒｔｉａｌｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎｏｆＺｒ4 ｆｏｒｔｈｅｃａｔｉｏｎｓｌｏｃａｔｅｄａｔＢ ｓｉｔｅｓｏｆｔｈｅｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅｌａｔｔｉ…     

复合X7R多层陶瓷电容器

介电常数Ｋ高于 ７２００的、具有满足 Ｘ７Ｒ（－５５～１２５℃,±１５％）规范要求的低烧复合多层陶瓷电容器（ＣＭＬＣＣｓ）已经研制成功．该电容器是由四种具有不同介温特性的ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＴ和ＰＭＮ－ＰＴ体系的瓷介质膜片按一定布局复合构成．其内部显微结构良好．本研究表明,采用不同材料共烧以得到具有优良性能的片式元件是可行的．     

铁电陶瓷相和内电极的层间互作用及界面类型

借助于透射、扫描电子显微镜和能谱Ｘ射线（ＥＤＡＸ）,对弛豫铁电陶瓷和银钯电极组成的多层共烧体系中的界面互作用进行了研究。观察到明显的互扩散现象存在于异相层间界面。阶电极中的银离子外,陶瓷中部分金属阳离子向电极中也有一定的扩散。Ｘ射线衍射的分析表明共烧过程中界面发生了化学反应,有新相生成。此外,实验结果还揭示了界面的物理化学作用对多层样品的微结构产生了一定的影响。铁电相和共烧界面的类型为扩攻型化合物     

Yb2O3的掺杂方式对Ba(Ti1-y)Zry)O3陶瓷介电性能的影响

在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化,采用Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高,获得了室温介电常数＞25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料,合成后掺杂的Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关,合成前掺杂Yb2O3的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子得到补偿的结果。     

BT-PMN共烧陶瓷的新的介温特性

具有不同居里点的两种铁电体粉末在共烧时会产生过渡相.这种过渡相的特性与原始物相的性质密切相关.BaTiO     

用凝胶注模成型制备压电陶瓷体及其电学性能研究

对PZT陶瓷浆料胶体化学特性进行了研究,成功制备了高固相含量低粘度的PZT陶瓷浆料.对含不同分散剂凝胶注模成型PZT样品电学性能的研究及其与普通干压法制备样品的比较表明,成型过程中的各种有机添加剂如单体和交联剂等不会对PZT的性能造成影响,而某些无机成份如选择不当的分散剂,则会起到一种掺杂剂的作用,从而影响成型后样品的各种电学性能.本文结果说明,对于电子陶瓷材料,在应用凝胶注模这种成型方法时,必须考虑各种添加剂可能对样品性能造成的影响     

中低温烧结的温度稳定型Ba1-xCdxTiO3介电材料

温度稳定型钛酸钡基介电材料具有良好的性能,然而做为MLCs瓷料时,烧结温度偏高.用固溶体Ba_1-xCd_xTiO₃替代BaTiO₃做为基料,可以有效地降低烧结温度,制备符合X7R标准的MLCs瓷料,获得较高的室温介电常数.     

低损耗、高Qm值Pb(Nb2/3Mnl/3)O3-Pb(Sb2/3Mnl/3) O3-PZT材料

研究了组分变化及掺杂对四元系Pb(Nb2/3Mn1/3)O3-Pb(Sb2/3Mn1/3)O3-PZT压电材料性能的影响,发现Zr/Ti比值在准同型相界附近该材料有最大的压电常数d33,而机械品质因数Qm值较小;Zr/Ti比偏离该相界时则机械品质因数Qm升高,相应的压电常数d33减小.通过改变Pb(Nb2/3Mn1/3)O3、Pb(Sb2/3Mn1/3)O3两组分的含量及掺入Sr、Ce等杂质,获得的材料介电损耗为014%,机械品质因数为2341,压电常效为216 pC/N.     

一种结构改进型驻波马达及振动模式分析

Ｆ２－神结构改进型驻波马达及振动模式分析董蜀湘，李龙土，桂治轮，潘伟，张孝文（清华大学材料科学与工程系北京·１０００８４）本文对一种朗之万型纵振子驻波马达的结构、性能进行了研究，理论上对这种马达的纵一扭变换器进行了有限元振动模式的１～７阶动态分析，理...