La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷热敏机理研究

液相掺杂施主元素La，在1100－1200℃烧结制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR－PTCR复合效应，其室温电阻率随烧结温度提高而增大；而添加少量PbO用于补偿铅损失，则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里点下的NTCR效应。同时利用XRD，SEM和TEM分别对陶瓷的相结构，形貌和畴结构进行了研究。根据实验结果，探讨了La掺杂Sr0.4Pb0.6TiO3陶瓷的半导化机理及其热敏特性。     

Bi掺杂对Ni-Zn-Cu铁氧体的烧结与磁性能的影响

低温烧结软磁铁氧体是表面组装元件（ＳＭＤ）中的一类关键材料。本文对Ｂｉ掺杂的低温烧结Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ铁氧体从烧结性质、结构与相组成、显微形貌、磁结构和磁性质（磁导率、品质因数及频谱）方面进行了研究，在此基础上分析了Ｂｉ掺杂对材料形成过程和磁化机制的影响，发现Ｂｉ对材料磁性能的改进所起的作用主要产生于它对材料显微结构（晶粒、晶界和气孔）的调制。     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。     

PNN—PT弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能

研究了０．７５ＰＮＮ－０．２５ＰＴ弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能，结果表明，通过添加过量镍可以有效抑制焦绿石相的生成，获得单相钙钛矿结构，从而获得优异的介电性能。     

高密度高压电性能陶瓷的研究

研究了以WO_3,CdO,Mn_2置换添加改性的Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3)_xTi_yZr_zO_3三元系压电陶瓷,这种陶瓷可以在1060℃—1160℃下烧成高密度高压电性能陶瓷。这种瓷料烧成温度宽,便于工艺控制是用于超声换能、高压发生、压电点火、引燃引爆等方面的理想陶瓷材料。借助XRD,SEM,STEM分析了材料的显微结构,并对材料的烧结机理进行了初步探讨。     

低电阻率的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷

低电阻率的（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３基ＰＴＣＲ陶瓷（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３ＰＴＣＲＣｅｒａｍｉｃｓｗｉｔｈＬｏｗＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ王德君郭淳桂治轮李龙土（清华大学，北京，１０００８４）ＷａｎｇＤｅｊｕｎＧｕｏＹｕｃｈｕｎＧｕｉＺｈｉｌｕｎＬｉＬｏｎ...     

直流偏压对PMZNT弛豫铁电陶瓷介电性能的影响

对PMN－PZN－PT系弛豫铁电陶瓷的直流偏压特性进行了研究,直流偏压使介电常数的最大值εmax下降,介电常数最大值对应的温度Tmax升高,频率色散受到压抑．同时使介温曲线变得平坦．应用冻结偶极子、慢偶极子的概念,对实验结果进行了分析．     

纳米级NiZnCu铁氧体粉的晶粒尺寸对瓷体性能影响

用柠檬酸盐溶胶-凝胶法制备的(Ni0.2Zn0.6Cu0.2)Fe2O4铁氧体粉体,通过不同的预烧温度控制粉体的粒径,制得不同晶粒大小的纳米粉体,采用两种烧结工艺实现NiZnCu铁氧体的低温烧结.利用XRD、SEM、TEM,频谱仪等分析了不同初始晶粒尺寸对烧结性能和铁氧体陶瓷电磁性能的影响,总结了烧结后晶粒尺寸对瓷体性能的影响规律,研制出细晶、高磁导率、高电阻率的低温烧结NiZnCu铁氧体陶瓷材料,其初始磁导率≥1000,电阻率比固相法提高了两个数量级.     

SrxPb1—xTiO3基陶瓷材料热敏特性研究

以Sr     

Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响

在Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３中,Ｙｂ２Ｏ３的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化．采用 Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３合成后Ｙｂ２Ｏ３的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高, 获得了室温介电常数＞２５０００,１２５０℃左右烧成,符合Ｙ５Ｖ标准的高介材料．合成后掺杂的 Ｙｂ２Ｏ３,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关．合成前掺杂Ｙｂ２Ｏ３ 的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Ｙｂ的Ｔｉ位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果．