Sol-Gel法制备B2O3-P2O5-SiO2系低介玻璃陶瓷

采用溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯和硼酸、磷酸为原料,制备出一种BPS超细粉．使用这种超细粉,可在低于950℃空气气氛中烧结,获得性能优良的低介电常数、低损耗玻璃陶瓷．该种材料的介电常数ε≤5、介电损耗tanδ<3×10     

银掺杂对低温烧结四元系陶瓷压电性能的影响

研究了微量银掺杂对多层压电陶瓷器件中使用的高性能低温烧结PMN－PNN－PZT（PMNNZT）基陶瓷压电性能的影响。结果表明：在烧结后没有产生明显的新相，少量银掺杂促进了陶瓷的烧结，增强了PMNNZT陶瓷的铁电性。对其压电性能的影响比较显著，具体表现为：微量的银掺杂增强了压电性能，但更多的银掺杂恶化了陶瓷的压电性能。该文解释为银掺杂影响了压电陶瓷材料的应变性能，从而进一步影响了压电性能。     

Cu、Zn掺杂对Co2Y软磁铁氧体性能的影响

介绍了通过掺杂Cu、Zn离子对Co2Y(Ba2Co2Fe12O22)型平面六角结构软磁铁氧体的成相及其性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品，Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22(x=0-1.2)的合成温度低，成相温度范围比较宽，易于成相。在甚高频段，对Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22的磁性能、介电性能及改善进行了深入的探讨。     

多层复相共烧界面的应力形成及其对微结构的影响

对复合对层厚膜共烧体在制备过程中应力的产生及其状态进行了理论分析,得出了厚膜材料不匹配的热力学特性是导致界面应力的重要根源。利用受约束形变的双层膜的应力模型对共烧多层复合陶瓷元器件在不同阶段的应力状态及影响数进行讨论。阐述了改善界面热应力和界面缺陷的工艺措施;研究了界面应力对复相界面微结构的影响。     

化学镀镍对BaTiO3基陶瓷PTC效应影响的机理研究

本文通过对比实验，研究了化学镀镍对于ＰＴＣ效应影响的机理。结果表明，对于某些致密的ＰＴＣ半导体陶瓷，化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于镀液的渗透，而是与镀镍过程中发生的化学反应有关。首次提出了化学镀过程中产生的初生态氢原子影响ＰＴＣ效应的观点。     

B2O3蒸汽掺杂的中低温烧结Y-BaTiO3及其PTCR特性研究

通过B2O3蒸汽掺杂,Y-BaTiO3陶瓷的烧结温度大幅度降低．B2O3蒸汽掺杂后的样品,室温电阻率下降,升阻比提高．通过对氧化硼蒸汽掺杂样品的XRD分析研究表明,硼间隙可以在钛酸钡晶格中存在,硼间隙和／或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应．     

用人工神经网络对PZT陶瓷进行性能分析与优化

选取了几种常用的金属氧化物掺杂剂,在均匀实验结构的基础上用人工神经网络方法对掺杂PZT陶瓷的性能进行分析和优化.实验结果表明,掺杂PZT体系的人工神经网络模型要比多重非线形回归模型准确得多,而且以人工神经网络模型为指导对材料进行优化后的性能预测也比较准确,说明人工神经网络在陶瓷这种多组分固溶体材料的性能分析中具有良好的使用前景.     

交流测试电场对PMZNT弛豫铁电陶瓷介电性能的影响

考察了不同交流测试电场对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ系弛豫铁电陶瓷介电性能的影响。测试结果表明，交流测试电场的增大导致介电常数最大值对应的温度Ｔｍａｘ下降，同时介电常数在Ｔｍａｘ附近及低于Ｔｍａｘ温度以下增大。并应用冻结偶极子、慢偶极子的概念对实验结果进行了定性分析。     

两种Ni-Zn铁氧体复合材料的烧结性能和射频磁性能*

用sol-gel法获得了两种铁氧体复合材料：以镁橄榄石为基体的Ni-Zn铁氧体复合材料和以MAS为基体的Ni-Zn铁氧体复合材料。比较了这两种复合材料的结晶性能和烧结性能。两种复合材料在射频区（100MHz-1GHz)的磁性能优于纯Ni-Zn铁氧体，这种优于纯Ni-Zn铁氧体的磁性能与复合材料的显微结构密切相关：复合材料中Ni-Zn尖晶石晶粒的尺寸较一般纯Ni-Zn铁氧体晶粒尺寸小一个数量级，晶粒间的磁相互作用较纯铁氧体晶粒间弱。     

低温烧结铌镍锆钛酸铅(PNN)压电陶瓷的研究

压电陶瓷是一种应用广泛的功能陶瓷材料,一般烧结温度都在1200～1300℃。在高温下 PbO 挥发严重,需要密闭烧结。为了改善性能,降低能耗,减少环境污染,降低成本,我们对 PNN 陶瓷的低温烧结技术进行了研究。