电子封装技术和封装材料

本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡＩＮ基片金属化及ＡＩＮ－Ｗ多层共烧工艺。     

Al-AlN太阳能选择性吸收涂层的中频溅射工艺研究

探讨了AlN膜和渐变Al-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术,结果表明:增大铝靶电流或减小氩气流量有助于改善AlN反应溅射的工艺稳定性;随着氮气流量的增加,AlN膜的N/Al原子比增大,减小氩气流量或增大铝靶电流对制备满足理想化学计量比的AlN膜有利;AlN膜的致密性随氮气流量和铝靶电流的增大而改善,但氩气流量对AlN致密性没有明显影响;制备的渐变Al-AlN选择性吸收涂层可见光反射率低于6％.光谱选择性较好.     

HTR-10球形燃料元件制造工艺

10MW高温气冷实验模块堆球形燃料元件的制造技术的研究始于1986年。球形燃料元件的制造使用橡胶模具冷准等静压工艺。目前已完成了制造技术和石墨基体材料的研究和最佳化。已生产了25批,约11000个燃料元件。石墨基体材料的冷态性能符合设计指标,25批燃料元件的平均自由铀含量为5×10-5。     

导电胶的研究进展

导电胶作为无铅连接材料的一种,近年来在电子封装中得到越来越多的重视。导电机理、组成及老化性能的研究成为导电胶实用化的关键因素。各向异性导电胶是连接用Pb/Sn合金的理想替代材料。     

AlN－W多层共烧布线技术

本文就ＡＩＮ－Ｗ多层共烧基板，论述了提高ＡＩＮ陶瓷的热导、降低Ｗ的电阻、增加Ｗ／ＡＩＮ间接合强度的机制和措施。     

AlN基板与金属化层界面的分析电镜研究

利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的ＡｌＮ陶瓷的微观结构特征，鉴别了ＡｌＮ中的第二相，研究了ＡｌＮ中的第二相，研究了ＡｌＮ基板上薄膜（Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ）和厚膜（Ｍｏ－Ｍｎ）金属化界面的结构。     

高热导A1N—新型陶瓷基片及封装材料

A1N陶瓷具有高的热导率和与Si相接近的热膨胀系数以及电绝缘特性，是一种应用前景极好的基片材料。本文介绍了A1N陶瓷的基本特征、用于陶瓷基片和封装材料的工艺难点及A1N陶瓷的应用现状和前景。     

AlN-W多层共烧结基片的界面分析

本文利用光学显微镜和扫描电镜对共烧结多层ＡｌＮ－Ｗ界面特征进行了观察与研究。光学显微镜观察表明：Ａｌ－Ｗ共烧界面为起伏交错的交联状，ＡｌＮ和Ｗ各自嵌入到对方基体中。ＳＥＭ进一步观察表明，内交联的界面实现了Ｗ层在ＡｌＮ基体上的附着。界面处无明显的次生相生成。ＳＥＭ的能谱（ＥＤＡＸ）对界面上的Ａｌ和Ｗ元素分布进行表明：在几微米的分辨率范围内，既没有Ｗ向ＡｌＮ层的扩散，也没有Ａｌ向Ｗ层的扩散。通过对剥离Ｗ膜界面侧Ｗ形貌与自由表面Ｗ形貌对比观察表明，共烧界面Ｗ的重结晶与晶粒长大受到ＡｌＮ的制约，晶粒呈小晶粒结构。     

电子封装技术和封装材料

本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡｌＮ基片金属化及ＡｌＮ－Ｗ多层共烧工艺。