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聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,得到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是精密工件台的使用。 相似文献
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两种扩束透镜光纤的研制与模场分析 总被引:1,自引:2,他引:1
介绍了两种对光纤端面进行修饰以扩大模场直径(MFD)的方法(加热扩散法和熔接透镜光纤法)。利用刀片远场扫描法对单模光纤(SMF)、加热扩芯光纤(TECF)与熔接透镜光纤(GIF)这两种修饰后的高斯分布光纤进行了测量比较。验证了其模场直径分别为10.700μm,13.129μm和12.7l7μm。并针对实际问题作出修正,通过对单模光纤以及上述两种扩束透镜光纤的分析,得到了相当合理的结果。说明这两种端面修饰法确实能起到扩大模场直径同时又不破坏模式分布的作用。并且验证了修正后的刀片法用于测量修饰后的光纤的各参量是非常有利的。 相似文献
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A Ka-band GaN amplifier MMIC has been designed in CPW technology,and fabricated with a domestic GaN epitaxial wafer and process.This is,to the best of our knowledge,the first demonstration of domestic Kaband GaN amplifier MMICs.The single stage CPW MMIC utilizes an AlGaN/GaN HEMT with a gate-length of 0.25μm and a gate-width of 2×75μm.Under Vds=10 V,continuous-wave operating conditions,the amplifier has a 1.5 GHz operating bandwidth.It exhibits a linear gain of 6.3 dB,a maximum output power of 22 dBm and a peak PAE of 9.5%at 26.5 GHz.The output power density of the AlGaN/GaN HEMT in the MMIC reaches 1 W/mm at Ka-band under the condition of Vds=10 V. 相似文献
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混合光环晶格是由束腰半径相同、拓扑电荷数分 别为整数和分数的两束拉盖尔-高斯(LG,Laguerre-Gaussian)涡旋光束共轴叠加 而成。本文理论模拟产生了混合光环晶格,包括混合亮环晶格和混合暗环晶格;基于共轭对 称延拓傅里叶 计算全息生成了混合光环晶格的全息图,并利用反射式空间光调制器(SLM),光电再现了高 质量的混合光环 晶格,实验结果与理论模拟一致。研究表明,混合光环晶格可以揭示拓扑电荷数的变化对 光环晶格的光束 分布影响,对深入理解复合涡旋光束提供了实验依据。 相似文献