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美、日双边基本结构陶瓷讨论会于1984年8月13日到15日在美国华盛顿州的西雅图举行。历时3天的会议上共宣读了33篇报告,其中日方17篇、美方16篇。按内容大致可分成四个方面,(一)粉末原料方面有5篇:(二)固相烧结方面有6篇;(三)有关材料性能方面12篇;(四)脆性材料设计和无损评价方面有10篇。参加会议人员美方53人(其中华盛顿大学20人),日方17人,分别来自大学、研究所和大公司的研究发展中心,特别是一些 相似文献
112.
近代陶瓷发展概况 总被引:1,自引:0,他引:1
江东亮 《兵器材料科学与工程》1989,(8):56-64
本文简要介绍了当前国内外对近代陶瓷研究和发展的概况,从“热机热”和“超导热”现状出发,分四个主要方面即热机用陶瓷材料、结构陶瓷的近期应用及问题、电子陶瓷材料、高温超导材料加以综述,环绕着研究热点、应用趋势和发展中存在的问题进行了简要介绍和讨论。近代陶瓷必将成为材料科学研究中最活跃的领域,它的发展将为高技术提供关键材料。 相似文献
113.
114.
115.
稀土铈离子掺杂镥铝石榴石光学透明闪烁陶瓷 总被引:1,自引:0,他引:1
首先简单介绍了国际上目前在闪烁透明陶瓷研究领域所涉及的材料体系、发展水平及存在的主要问题,然后重点介绍中国科学院上海硅酸盐研究所近年来在稀土铈离子掺杂镥铝石榴石(LuAG:Cze)透明闪烁陶瓷的制备、微观结构和光学性能等方面的研究结果。采用高温固相反应和共沉淀方法通过真空烧结工艺可制备透过率达77%的LuAG:Ce透明陶瓷。材料显微结构均匀,平均晶粒尺寸为10μm。在γ射线激发下、在国际上首次成功实现了闪烁输出,光产额为4818光子/MeV,为同样条件下测定的LuAG:Ce单晶的45%,锗酸铋(bismuth germanate,BGO)单晶的60%。最后,指出具有各向同性的立方材料体系、高质量粉体原料的制备以及降低光学散射损耗的有效方法是研制高质量光学透明陶瓷材料的关键因素。 相似文献
116.
117.
118.
碳化硅陶瓷的热等静压烧结 总被引:11,自引:3,他引:11
系统地研究了不同添加剂(如Al2O3,AlN和B4C等)在热等静压(HIP)烧结条件下对SiC陶瓷之致密机理,显微结构以及力学性能的影响,结果表明:在HIP烧结过程中,Al2O3可以与SiC颗粒表面的SiO2生成低共熔的铝硅酸盐玻璃相,并有效地促进SiC陶瓷的致密化,当添加3%(以质量计)Al2O3时,采用HIP烧结工艺,在1850℃温度和200MPa压力下降结1h,就可获得相对密度和抗弯强度分别 相似文献
119.
经研究致密的SiC-AlN-Y2O3复相陶瓷的氧化行为后发现,陶瓷材料的表面在空气中氧化的反应物随着温度的高低而变化.800℃、20h氧化试验后,试样表面无任何变化,1100℃氧化.20h,表面形成了极少量的SiO2,但两者均无增重.1250℃与1320℃氧化30h后,试样的重量和表面发生较明显的变化,形成了SiO2与α-Al2O3,1370℃氧化试验30h后,陶瓷表面的氧化产物SiO2与α-Al2O3转化成莫来石(3Al2O3·2SiO2)结构.试样表面的氧化层均匀而且致密. 相似文献
120.