砂磨粉碎制备SiC超细粉体

砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一 ,避免了传统球磨、酸洗工艺对环境的污染。本文采用砂磨粉碎工艺制备 Si C超细粉体 ,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量、球料比和砂磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响 ,在一定工艺条件下 ,将中位粒径为 7.3μm的高纯 Si C粗粉砂磨粉碎 1 8hr,得到了中位粒径为 0 .4 7μm、粉体尺寸分布范围窄、氧含量小于1 .5wt%的超细 Si C粉体。     

高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的结构与性能表征

本文研究了高温等静压（HIP）后处理工艺对液相烧结SiC陶瓷的显微结构及力学性能的影响．实验表明,HIP后处理的效果随烧结助剂的不同及液相烧结温度的变化而改变．Ar气氛条件下的HIP后处理可以提高液相烧结SiC的密度,减少或消除内部气孔等结构缺陷,但不引起晶粒的长大．N₂条件下的HIP后处理除了具有Ar－HIP后处理的优点外,由于表面SiC与N₂之间的反应生成的Si₃N₄可以有效地改善表面状态,从而达到表面改性,提高SiC陶瓷的力学性能．结构分析表明,经N₂-HIP后处理,表面氮化层中晶粒细小,结构致密．同时,HIP后处理的效果还受液相烧结SiC陶瓷显微结构的影响,当液相烧结SiC的烧结温度较低,晶粒较细时,经HIP后处理,尤其是N₂-HIP后处理,强度和韧性均有较大幅度的提高．     

孔结构可控的网眼多孔陶瓷的制备

采用一种具有三维网状结构和贯通气孔的有机泡沫体作为载体,首先利用有机泡沫浸渍工艺制备出高气孔率且几乎没有堵孔的网眼素坯,经过排塑、预烧处理获得具有一定强度的预制体．由于未经烧结,预制体的孔筋呈疏松多孔结构．利用粘度较低、流动性很好的浆料对预制体进行涂覆处理．结果表明：通过这种处理,孔筋上的裂纹被消除,非常细的孔筋被避免,孔筋厚度比较均匀,从而获得了结构非常均匀的网眼陶瓷．相对密度、孔筋厚度、孔径大小可以根据徐覆次数来调节．随着涂覆次数的增加,孔径减小,孔筋厚度增加,相对密度也增加．本工作为网眼陶瓷孔结构的精确设计提供了一种新工艺,对于优化其力学性能、渗透率等性能具有重要意义．     

水解反应诱导凝胶化工艺成型碳化硅陶瓷

发现静电稳定的碳化硅浆料在碳化硅粉体表面的无定形氧化硅层的影响下,可以象氧化硅溶胶一样发生溶胶－凝胶转变,并将这一发现用于碳化硅陶瓷的成型．通过预先加入的酯或内酯的水解反应,把浆料的ｐＨ值从碱性区降至有利于凝胶的中性区,体系发生固化． 利用小幅震荡剪切技术对影响固化过程的各种因素进行研究表明,固化速度及固化强度不仅依赖于体系最终的ｐＨ值,还取决于体系最初的ｐＨ值以及ｐＨ值变化的速度．这些影响因素说明,体系的固化不是一个简单的凝聚的过程,而是一个凝胶的过程,浆料的固化是碳化硅颗粒间形成Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ键的结果．     

金属过滤器用高性能碳化硅泡沫陶瓷的制备

介绍了一种适用于大规模工业化生产高强度金属过滤用碳化硅泡沫陶瓷的方法。采用商用SiC粉体和聚氨酯泡沫通过2次挂浆工艺可以制备出最大平均抗弯强度达到2．87 MPa,平均孔径在3 mm左右,同时具备优良的抗热震性能和高达1700℃耐火度的碳化硅泡沫陶瓷。探讨了浆料的牯度、流变性能对挂浆性能的影响及第2次挂浆对强度的增强机理,说明1次浆料的触变性能和适当固相含量的2次浆料是高强度泡沫陶瓷制备的关键,而2次挂浆工艺对强度提高的主要贡献来源于第2次浆料对1次挂浆烧结后留下空洞的有效弥补。     

原位生成SiC／TiSi2纳米复合材料的显微结构

采用Ｓｉ和ＴｉＣ为原料,通过反应热压可制得纳米ＳｉＣ粒子复合的ＴｉＳｉ２材料,生成的纳米ＳｉＣ粒子聚集分布在ＴｉＳｉ２基体中,ＳｉＣ粒子与ＴｉＳｉ２的同没有晶界相存在,但由于残余应力的作用,ＴｉＳｉ２晶格发生扭曲并有位错出现。     

AIN在SiC－AIN－Y_2O_3复相陶瓷中的作用

氮化铝（ＡＩＮ）相在ＳｉＣ－ＡＩＮ－Ｙ＿２Ｏ＿３复相同瓷中起着至关重要的作用。在２０５０℃高温时，ＡＩＮ颗粒表面发生固相蒸发现象，并聚集到ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ陶瓷的晶界结构，使该复相材料具有良好的机械性能，其室温抗折强度为６１０ＭＰａ，这一强度可持续至１４００℃高温，断裂韧性达到８．１ＭＰａ·ｍ￣（１／２）。     

碳化硅网眼多孔陶瓷的微波吸收特性

研究了碳化硅网眼陶瓷的微波吸收特性,发现它比实心材料的吸波性能几乎提高了两倍以上,这种吸波性能的改善主要来自网眼结构对电磁波产生的反射、散射及干涉作用引起的衰减.孔径大小、相对密度、试样厚度等因素对碳化硅网眼陶瓷的微波吸收性能的影响进行了讨论.本工作将为低成本、高性能结构型微波吸收材料的设计提供一条新途径.     

界面涂层对气相渗硅Cf/SiC复合材料力学性能的影响

在1650℃气相渗硅（Vapor Silicon Infiltration—VSI）制备了3D碳纤维增强SiC基复合材料（Cf／SiC），其密度约为1．85g／cm^3．当C／SiC界面涂层存在时，气相渗硅cf／SiC强度为239．5MPa；而无界面涂层存在时，Cf／SiC弯曲强度大幅下降，约为67．4MPa．无界面涂层保护时，气相渗硅过程中纤维与硅蒸气发生反应，使得纤维硅化，造成材料性能下降．纤维表面沉积的C／SiC涂层，不仅保护纤维，避免被硅侵蚀，而且具有弱化界面、偏转裂纹等作用，复合材料的断裂功得到显著提高．将气相渗硅温度提高到1700℃后，有界面涂层存在情况下Cf／SiC复合材料密度显著提高，达到2．25g／cm^3，强度基本与1650℃时相当．     

旋转叶片在测试陶瓷浆料固化过程流变特性的应用

将旋转叶片应用于应力控制流变仪,测量陶瓷浆料固化过程中的流变特性.在数据处理上,可将添满陶瓷浆料的旋转叶片等效为一个同心圆筒,并按照同心圆筒进行测试参数的设置.我们采用四叶片的旋转叶片测试不同浓度的聚丙烯酰胺溶液的复数模量G*,并与平行板测试数据比较.结果表明旋转叶片存在有效直径.这个有效直径小于叶片直径.确定了在测试陶瓷浆料固化过程流变特性时的有效直径D_eff.并得到陶瓷浆料固化过程的流变曲线.