B4C陶瓷的协同增韧

采用热压工艺制备的Ｂ４Ｃ－３５ｖｏｌ％ＴｉＢ２复相陶瓷的断裂韧性值从单体Ｂ４Ｃ的３．６ＭＰａ－ｍ＾１／２以６．５ＭＰａ．ｍ＾１／２， 游离碳后的韧性进一步提高，达７．６ＭＰａ．ｍ＾１／２，显微结构观察表明，材料韧性的改善是因第二相颗粒的ＴｉＢ２和基体Ｂ４Ｃ之间的热膨胀系数不匹配而产生的残余应力导致的偏转和游离碳的 产生的微开明纹协同增韧的结果，游离碳的存在削弱了界面的结合强度，在很强的残余应力的和     

阴离子粘土LiAl2(OH)6X·2H2O(X=OH-,1/2CO32-)的离子交换特性

本文研究了阴离子粘土ＬｉＡｌ２（ＯＨ）６－Ｘ．２Ｈ２Ｏ（Ｘ＝ＯＨ＾－，１／２ＣＯ３＾２）的离子交换特性，结构分析表明，ＬｉＡｌ２－ＬＤＨ含水分隔层内的ＯＨ和ＣＯ３＾２－离子容易与酸性溶液中的Ｃｌ、ＮＯ３等离子进行交换，且保持ＬｉＡｌ２－ＬＤＨ的水滑石型层状结构不变，其中Ｃｌ－离子型表现较高的离子交换速率，在阴离子交换的同时，氢氧化以内的Ｌｉ＾＋离子也被Ｈ离子部分取代，但交换率较低，进一步讨论说明，     

原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能

以氮化硅(Si₃N₄)和氧化铝(Al₂O₃)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si₃N₄多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si₃N₄多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响. 结果表明: 烧结温度在1350℃以下, 保温时间<4h时, 随着烧结温度的升高, 保温时间的延长, 样品的强度和介电常数增大; 但条件超出这个范围, 结果刚好相反; 物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al₂O₃以及Si₃N₄氧化生成的SiO₂(方石英)组成. 所制备的多孔Si₃N₄陶瓷的气孔率范围为25.34%～48.86%, 抗弯强度为34.77～127.85MPa, 介电常数为3.0～4.6, 介电损耗约为0.002.