Al粉作为活性填料对PIP法SiCf/SiC复合材料性能的影响

利用2.5D SiC纤维预制件,通过前驱体浸渍裂解法（PIP法）制备SiCf/SiC复合材料,通过在第一次浸渍浆料中加入活性Al粉和惰性颗粒SiC粉来提高浸渍效率.研究了活性填料的加入以及纤维表面热解碳层的厚度对材料性能的影响.结果表明,由于Al粉在热解过程中与含碳有机小分子发生化学反应生成新的物相,使得复合材料的力学性能得到了很大的提高,在1200℃经过六个周期的浸渍裂解后,复合材料的三点弯曲强度达到441MPa,比例极限应力达到380MPa.在200～500nm厚度范围内,热解碳的厚度对复合材料的抗弯强度影响不明显.复合材料的弹性模量随着热解碳层厚度的增加而降低.     

高温固相反应工艺制备AlON粉体

以Al₂O₃和AlN为原料, 在氮气气氛下通过高温固相反应工艺合成氮氧化铝（AlON）粉体, 借助XRD分析系统研究了反应温度、保温时间及原料配比等工艺参数对反应产物相组成的影响并探讨了反应机理. 研究结果表明：该反应主要受热力学控制, 动力学因素也具有重要作用, 反应温度和保温时间对AlON粉体的合成均具有重要影响. 在相对较低的反应温度下, 通过AlN固溶进入Al₂O₃晶格形成富氧（O-rich）的AlON相; 在相对较高的反应温度下, 产物中少量残余的AlN通过进一步扩散固溶进入O-rich-AlON晶格形成富氮（N-rich）的AlON相（N-rich-AlON）; 在1950℃时, 合成单相的AlON粉体.     

粉体性质对树脂基氧化锆光固化浆料流变行为的影响（英文）

合适的树脂基陶瓷浆料的制备对陶瓷光固化成型技术而言至关重要。本文研究了氧化锆粉体的性质,包括比表面积、粒度与粒径分布、颗粒形貌等因素对树脂基浆料流变行为的影响。研究发现:粉体的比表面积是影响浆料粘度的最主要因素。选择低比表面积、形貌接近球形的粉体更容易制备出低粘度的浆料。利用Krieger-Dougherty模型研究了粉体固含量对浆料流变行为的影响。在1550℃烧结得到了相对密度为(97.83±0.33)%的氧化锆陶瓷,未发现明显的晶粒异常长大,表明基于流变学表征方法对浆料制备参数进行优化后,采用光固化技术可以制备出复杂结构、高质量的氧化锆陶瓷。     

陶瓷材料的表面强化和增韧

本文概述了控制表面性能对改善陶瓷材料强度的韧性的重要性。同时介绍了各种已经取得成效和正在发展中的改善表面性质的途经,例如;激光热处理,离子注入技术等。作为未来陶瓷表面改性方法探索。     

反应烧结碳化硅陶瓷材料的研究

本文介绍了不同工艺参数对反应烧结碳化硅材料(RBSC)的显微结构和力学性能的影响,给出了这种材料的一些实验结果总结如下:1.素坯密度对 RBSC 材料的显微结构和力学性能产生很大的影响,所以控制适当的素坯密度是非常重要的;2.RB-24的 RBSC 试样性能:密度3.05～3.09g/cm~3;游离硅15vol%,室温抗弯强度640MPa;室温时 K_(1c)为4.3,硬度 HR_A=92.5;韦伯尔模数为14;3.RBSC 材料的耐腐蚀性能和耐磨性能优于硬质合金和高纯 Al_2O_(?)。     

具有不同添加剂的热压碳化硅的氧化行为和高温强度

本文研究了多种添加剂(B_4C、Al_2O_3、WC)对热压碳化硅(HP-SiC)材料的抗氧化和力学性能的影响,并与无压烧结碳化硅(PLS-SiC)样品作对比。在空气中,不同温度和保温时间下测定样品的氧化速率,氧化层的性能用电子探针和扫描电镜技术进行分析。含有 Al_2O_3的热压 SiC 的高温弯曲强度比已知商业材料性能要好。1400℃高温强度能达630MPa。     

SiC和Si_3N_4纳米陶瓷粉体制备技术

纳米材料科学是近年来兴起的新的科学领域，纳米粉体的制备则是纳米材料研究的主要方面。本文比较详细地介绍了制备碳化物、氮化物纳米陶瓷粉体的四种主要工艺：热化学气相反应法、激光诱导化学气相沉积法、等离子气相合成法和溶胶凝胶法。对于目前碳化物、氮化物纳米陶瓷粉体的制备工艺和目前水平作了一个总体概括     

复相陶瓷

从陶瓷发展历史过程与相应社会发展需求说明复相陶瓷的研究是当前结构陶瓷发展的重要研究方向之一。简要介绍了复相陶瓷的组份设计的主要依据是物理化学性能上相互匹配,以及制备科学和工艺方案选择合理性。从近年来对复相材料的研究发展举出若干成功例子,其中以纳米级复合材料性能更佳,可能是发展高强高韧结构材料的一个主要方向。最后对复相陶瓷的强化增韧机理加以综述。     

碳化硅泡沫陶瓷烧结温度和烧结机理的研究

将制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料通过烘干、制粉、干压成型、烧结来探讨烧结温度对制品性能的影响。试验结果表明样品的最高抗弯强度出现在1400℃、保温2h的工艺条件下，而不是更高的烧结温度1450℃。主要原因在于过高的烧结温度导致碳化硅氧化严重，生成了大量的方石英，方石英在随后的冷却过程中出现微裂纹所致。而碳化硅泡沫陶瓷的烧结机理主要是玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用和新相莫来石的生成。