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用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ＧａＮ）缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了ＧａＮ外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对ＧａＮ外延层的影响．提出了一个模型以解释用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果 相似文献
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Ｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅｈａｓａｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄｇａｐｏｆ3.39ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｍａｙｂｅａｐｐｌｉｅｄｔｏｂｌｕｅ,ｖｉｏｌｅｔａｎｄｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｓｕｃｈａｓｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓ(ＬＥＤｓ),ｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｓ(ＬＤｓ),ａｎｄｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ[1—3].Ｒｅｃｅｎｔｌｙ,ｃｏｌｕｍｎＩＩＩ—Ｖｎｉｔｒｉｄｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｏｎｅｏｆ… 相似文献
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报道用自行研制的LP－MOVPE设备,在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。 相似文献
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采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下,在20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流的增大递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的绿光LED。 相似文献
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一、问题的提出 InP用于外延工艺中，发现在温度高于500℃区域内，有黑色膜或黑斑点淀积在石英反应管壁上，甚至在衬底支架上。这种现象可能是高温下三氯化磷中碳化物的热分解所造成的。由此提出分析外延试剂的杂质成分问题。试图从中找出沾污的原因及解决污染的办法。 相似文献
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报道了用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术在蓝宝石衬底上生长出以双掺Ｚｎ和Ｓｉ的ＩｎＧａＮ为有源区的蓝光和绿光ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结结构,并研制成功发射波长分别为４３０－４５０ｎｍ和５２０－５４０ｎｍ的蓝光和绿光ＬＥＤ。据查,这是国内首次有关六方ＧａＮ基绿光ＬＥＤ的报道。 相似文献
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采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增 相似文献
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报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED 相似文献
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报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED. 相似文献
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研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺,包括掺杂剂量和热退火条件,对材料电学性质的影响,得到了优良的P型材料,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝发光二极管。 相似文献
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