热电偶保护管折断后的修复

铂铑-铂、镍铬-镍硅热电偶的陶瓷保护管常常折断,容易造成热电偶的损坏,我们采用磷酸-高铝矾土调配成较稠的粘结剂涂于断口处进行粘结,三年来,粘结修复了19根陶瓷管,效果良好,操作简单,成本低。具体作法是:将过100目筛的高铝矾土置于塑料容器内,用工业磷酸调成稠浆糊状,经反应后(约1小时),抹一薄     

Growth of Aligned Carbon Nanotubes through Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Aligned carbon nanotubes (CNTs) were synthesized on glass by microwave plasma chemical vapor deposition (MWPCVD) with a mixture of methane and hydrogen gases at the low temperature of 550~C. The experimental results show that both the self-bias potential and the density of the catalyst particles are responsible for the alignment of CNTs. When the catalyst particle density is high enough, strong interactions among the CNTs can inhibit CNTs from growing randomly and result in parallel alignment.     

p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用

采用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对p型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.     

纺织工程专业实践教学改革与创新探讨

纺织工程专业本科教育要不断进行实践教学的改革与创新,提高教学质量。开放实验教学可有效激发学生自主学习和训练的积极性,＂虚实结合、软硬结合、产学研结合＂的实践教学模式可使学生受到良好的工程师基本训练。     

TE103单模谐振腔的计算模拟及优化

对TE103单模谐振腔中电磁波的分布进行了数值计算;推导出了麦克斯韦方程在谐振腔内电磁场分布的数学表达式;采用Ansoft软件对腔体中的电磁分布进行模拟并对腔体的尺寸进行优化.根据模拟的电场的形状以及其它相关的数据来判断此时反应器形状和性能.数值模拟结果表明,空腔有三个大小相近的电场均匀区域,在匹配情况下,谐振腔的固有品质因素相对较高.计算模拟结果与实验结果吻合较好,验证了计算和模拟的正确性,为设计高质量的谐振腔提供了参考依据.     

射频等离子体制备类金刚石薄膜及其表征

采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.结果表明,制备出的类金刚石薄膜表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.492 nm;薄膜中含有sp2,sp3杂化键,具有典型的类金刚石结构特征;光学透过率比较高,薄膜的复合硬度可以高达507.3 kgf/cm2.     

单片机控制的稳定大功率微波源

介绍一种用功率反馈来稳定微波输出功率的方法。通过对磁控管特性的分析，系统使用单片机对磁控管阴极电压和磁场进行同时调节，稳定了微波输出功率。     

低温空气等离子体改性PDMS的研究

为了改善聚二甲基硅氧烷（PDMS）的亲水性和稳定其电渗性能,采用空气微波等离子体在低温条件下对其表面进行改性。利用原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）及静态接触角对处理前后的PDMS进行分析。经空气微波等离子体处理3min后,PDMS的亲水性得到极大的改善,水在其表面的接触角接近零度。XPS结果表明：处理后PDMS表面形成SiOx薄层;AFM显示空气等离子体处理对PDMS的表面没有损伤。与文献报道的高、中真空氧等离子体处理方法相比,亲水效果基本一致,却大幅度降低了对设备真空系统的要求,并缩短了操作时间,节约了成本。最佳处理条件为：微波为100W,腔体内气压为1.0kPa,空气的流量为20sccm（1sccm=1cm3·min^-1）,时间3min。     

CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展

含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。