深层QPQ处理的渗层组织和元素分布

用光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪对45、40Cr和20钢深层QPQ处理渗层的显微组织、相组成和氮碳氧元素的浓度分布进行研究.结果表明,深层QPQ处理的渗层组织由氧化膜、疏松层、化合物层、中间层和扩散层组成.氧化膜为Fe3O4;化合物层主要由Fe3N、Fe4N以及少量α相组成;中间层主要由Fe4N和α相组成.氧元素主要存在于氧化膜和疏松层中;氮元素在化合物层中的分布比较平缓;中间层有较高的含氮量和较高的含碳量.通过对疏松层的扫描,观察到疏松层中氮元素明显减少和氧元素明显增加,从而为疏松层是由化合物层中氮原子分子化而形成孔洞的理论提供了直接有力的证据.     

辐射乳液聚合羧基型丙烯酸酯橡胶的性能评价

评价了辐射乳液聚合羧基丙烯酸酯橡胶的加工性能、力学性能、耐热空气老化性能、压缩永久变形以及耐油性能,并与国外牌号的丙烯酸酯橡胶进行性能对比。结果表明,辐射法丙烯酸酯橡胶加工性能优异,焦烧时间合适,硫化速度快,相对分子质量大,交联网络完整,其硫化胶力学性能和耐油性能优异;其热空气老化性能和压缩永久变形能与国外品牌丙烯酸酯橡胶媲美。     

QPQ处理对3J21弹性合金性能的影响

以3J21弹性合金作为研究对象,采用570℃的QPQ工艺对3J21合金进行不同时长的处理,研究QPQ处理对其性能的影响。通过维氏显微硬度计、光学显微镜、XRD衍射分析仪分别检测了3J21处理后的表面维氏显微硬度、断面维氏显微硬度、渗氮层厚度和相结构组成。结果表明：3J21合金经QPQ处理后,表面硬度得到了显著提升;断面硬度随着QPQ处理的时间延长,下降趋势变缓;渗氮层深度随着处理时间的延长而增加;通过XRD衍射图谱观察到,由于渗层浅,各相衍射峰强度较低,主要由α″相、Ni₃N、CrN和Co₂N等固溶相构成渗层。     

玻璃纤维短切毡用粉未粘结剂的研究与开发

南京玻纤院研制的玻璃纤维短切毡用粉末粘结剂XYP一328能够满足生产厂家对粉末粘结剂的粘结性能和机组工艺操作性能要求。该粘结剂具有价格低、运输周期短的优点,现已投入批量生产。     

IEDM重装上阵I——面向RF IC的新型片上电感

2006年12月11日,IEDM在美国旧金山如期举行,在这次半导体器件的盛会上,经过一年的沉寂,中国大陆的研究人员重整旗鼓,再度贡献两项高质量的研究成果。也许是一种巧合,它们的作者都是2004年取得突破的IEDM先锋,即清华大学的任天令小组和中科院微系统所的李昕欣小组。     

铜互连线内电流拥挤效应的影响

提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响.实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限.     

氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向.     

铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究

根据0.13 μm以下的深亚微米超大规模集成电路中先进的后道铜互连技术对于氮化硅薄膜沉积的具体要求,文章在大马士革工艺的基础上分析了可能导致铜互连失效的原因.进而在应用材料公司的PRODUCER(一种薄膜沉积设备)机台上,通过包括对氨等离子体预处理和氮化硅预沉积的这两步骤作实验研究.利用田口分析判断的实验方法,找到主要...     

华为EPON系统多业务开通浅析

随着IP业务在城域和干线传输中所占的比例不断攀升,以太网通过传输速率、可管理性等方面的改进,逐渐向接入、城域甚至骨干网渗透。而以太网与PON的结合,便产生了以太网无源光网络（EPON）。由于它同时具备以太网和PON的优点,毋庸置疑成为了当前光接入网领域最热门的技术。文章结合当前电信业务的实际需求,以华为主流EPON产品...     

球罐用B610CF钢板冲击与断裂性能试验研究

针对宝山钢铁股份有限公司开发的B610CF钢板及其焊接接头的冲击及断裂性能进行了系统的试验研究.结果表明:钢板调质状态和调质+消除应力热处理状态在- 20℃时都具有较高的冲击性能,钢板和焊接接头在- 20℃时都有着良好的断裂韧度,该钢用于- 20℃以上工况的球罐是完全可行的,所用焊接材料与母材匹配且焊接工艺合理.